关于化学气相沉积技术的论文摘要

问：请问CVD（化学气相沉积）的原理及应用？

1. 答：其含义是气相中化学反应的固体产物沉积到表面。CVD装置由下列部件组成；反应物供应系统，气相反应器，气流传送系统。反应物多为金属氯化物，先被加热到一定温度，达到足够高的蒸汽压，用载气（一般为Ar或H2）送入反应器。如果某种金属不能形成高压氯化物蒸汽，就代之以有机金属化合物。在反应器内，被涂材料或用金属丝悬挂，或放在平面上，或沉没在粉末的流化床中，或本身就是流化床中的颗粒。化学反应器中发生，产物就会沉积到被涂物表面，废气（多为HCl或HF）被导向碱性吸收或冷阱。
   沉积反应可认为还原反应、热解反应和取代反应几类。CVD反应可分为冷壁反应与热壁反应。在热壁反应中，化学反应的发生与被涂物同处一室。被涂物表面和反应室的内壁都涂上一层薄膜。在热壁反应器中只加热被涂物，反应物另行导入。

问：化学气相沉积法制备石墨烯

1. 答：石墨烯的制备主要可分成固相，液相，气相三种方法，现在应用比较多的就是固相法的机械剥离法（操作简单，产量极低），外延生长法（可获得高质量的石墨烯，但对设备要求较高），液相法的氧化还原法（操作简单，产量高，但产品质量较低），气相法的化学气相沉积法（可制备大面积高质量的石墨烯）。目前应用最广泛的就是化学气相沉积法，国内许多石墨烯厂家制备石墨烯基本都是这个，像合肥微晶的CVD石墨烯产品，质量在行业中都是很好的！但化学气相沉积法生长的条件决定了生长石墨烯的质量，首先基底的选择决定了石墨烯的生长机制，然后是反应的温度对晶体生长至关重要，1000度为生长石墨烯的最佳温度。（升温至1000度，需要给基底预热时间，保证与基底形成碳原子晶体的结构），还有在生长的过程中需要通入氢气与氩气，通入气体的纯度也影响着石墨烯的生长。最后冷却速度对石墨烯的生长也十分重要，需要较快的冷却速度。要说工艺的难点就在于确保各项工艺参数的选择，否则石墨烯的质量就会有很大的影响！
2. 答：你做这个是做什么用的

问：CVD（化学气相沉积）的原理及应用是什么

1. 答：其含义c是气3相中3化1学反5应的固体产物沉积到表面。CVD装置由下k列部件组成；反7应物供应系统，气3相反7应器，气4流传送系统。反6应物多为0金属氯化8物，先被加热到一g定温度，达到足够高的蒸汽压，用载气5（一s般为6Ar或H3）送入v反4应器。如果某种金属不a能形成高压氯化4物蒸汽，就代之d以8有机金属化2合物。在反2应器内4，被涂材料或用金属丝悬挂，或放在平面上y，或沉没在粉末8的流化0床中7，或本身就是流化5床中4的颗粒。化3学反3应器中7发生，产物就会沉积到被涂物表面，废气1（多为2HCl或HF）被导向碱性吸收或冷阱。 沉积反3应可认4为5还原反2应、热解反7应和取代反0应几a类。CVD反3应可分6为5冷壁反7应与l热壁反0应。在热壁反1应中7，化1学反4应的发生与t被涂物同处一h室。被涂物表面和反3应室的内1壁都涂上b一z层薄膜。在热壁反8应器中1只加热被涂物，反3应物另行导入q。2011-10-28 11:18:35
2. 答：百度文库中有，自己登录找就知道了。