一、对辐射感应闭锁窗口现象的解释（论文文献综述）
雷凯[1]（2021）在《φ50mm穿孔机电气智能设计及柜体孔阵屏蔽效能影响探究》文中进行了进一步梳理工业数字化时代下为了打通设计与生产间的数据流并缩短设计生产周期,实现整个电气设计过程的规范化和流程化,以集成整合和自动化为主要特征的智能设计技术已逐渐成为电气设计主流。本次针对以往CAD面向符号的设计方式,以φ50mm穿孔机控制系统为例给出了一套面向部件的智能设计方法,本文主要工作如下:首先本文对传统和ESIA原则优化后的控制系统设计流程进行了对比介绍并从原理图设计与3D布局两方面阐述了优化后设计流程优势所在,之后对3D布局过程中数字样机环境下虚实映射的数字孪生表达理念进行了介绍,运用优化后的设计流程对穿孔机电控系统进行了二维原理图设计（包括穿孔机与延伸机的主电路和控制回路设计,主PLC设计以及系统配电设计等）,在完成原理图设计基础上又通过二三维联动在虚拟样机中进行了孪生体建模并完成了3D布局布线工作和控制系统制冷设备的选择,将设计好的孪生柜体模型导入ANSYS仿真软件中进行模型二次开孔处理,使用FEM有限元计算方法对不同散热孔阵（孔间距、孔径、孔外形及孔阵列不同时）情况下的屏蔽体近场屏蔽效能进行了仿真和数据分析,得出了柜体在不同散热孔阵规格时近场屏蔽效能的变化规律,为现场装配时控制柜散热孔阵的打孔规格提供了理论指导,也体现出了整个数字设计过程中数据调用的一致性。本文是以具体的穿孔机电控系统工程实践为例进行阐述提供了一整套设计方案,以部件为枢纽建立的设计体系不仅为整个生产价值链提供了更精确的技术支撑,更是将全生命周期过程中的研发、制造以及服务和运维等环节进行连接,使得所有业务部门都能协同有序产出,在智能设计理念应用以及工程实践研究方面具有一定的指导意义。
刘瑛琳[2]（2019）在《三端混合直流输电线路保护方法研究》文中认为中国东部地区电能需求增长迅速,而西部地区能源储备丰富,使得我国电能的生产和消耗呈现逆分布,长距离大容量的输电系统成为我国电力系统结构中极其重要的环节。相比于交流输电系统,直流输电系统具有耗能少、可靠性高等优势。随着电力电子技术的不断进步,直流输电发展不断的涌现出新的思路,很多新型的系统被提出,比如柔性直流输电系统、混合直流输电系统等。其中,典型的混合直流系统,如乌东德混合直流输电系统,在供端采用传统直流,在受端采用柔性直流,既能保证输电系统具有较强的抗过压能力,也能避免受端换相失败问题的产生,相较于单一类型的直流输电系统具有明显的优势。保护作为保证系统稳定运行的重要组成部分,其动作性能的优良影响着电力系统的稳定性。由于混合直流输电拓扑结构的特殊性,已有的直流输电线路保护方法并不能很好地适用于混合直流输电系统,因此研究适用于混合直流输电线路的保护具有重要意义。本文搭建的混合直流输电模型是以乌东德高压直流输电工程作为参考背景,针对实际典型场景,研究适合的直流输电线路保护方法。首先,构建了混合直流输电真双极系统仿真模型,并分析了不同工况下,线路故障的等效电路及故障电流计算方法。分析了混合直流输电系统的拓扑结构及运行机理,结合某实际工程的系统参数,搭建了三端混合直流输电系统的简化仿真模型。分别针对供端LCC（Line Commutated Converter）和两个受端混合MMC（Modular Multilevel Converter）的换流站出口处典型线路短路故障,进行了故障特性分析,建立了故障后不同阶段的等效模型,推导出不同故障阶段的故障电流计算方法,并通过仿真验证了故障电流的特性。其次,提出了基于时频谱的单端混合直流输电线路保护方法。在分析不同工况下,区内外故障高频暂态衰减特性的基础上,利用故障后暂态电流时频谱中频域幅值的大小构造保护判据,确定完整的保护方法。考虑了过渡电阻、故障距离以及噪声等因素对其保护性能的影响,并通过仿真验证了该保护原理的有效性。最后,提出了基于功率增量方向的纵联保护方法。通过采集线路双端的电流、电压两种电气量信息,忽略高频暂态量的影响,利用故障后线路中低频故障功率的增量方向构造保护判据,及相应的保护逻辑。通过仿真验证了该保护方法对故障位置、过渡电阻、噪声的抗干扰性能。
唐昭焕[3]（2019）在《单粒子辐射加固功率MOSFET器件新结构及模型研究》文中进行了进一步梳理宇宙空间存在大量的X射线、γ射线、质子、重粒子等,航天器在太空运行会受到此类射线和粒子的辐射,引起航天器电子系统的扰动,甚至导致电子系统失效,严重影响航天器的在轨安全运行。本文针对宇航用功率VDMOS器件存在的抗SEB和抗SEGR技术瓶颈,在深入分析功率VDMOS器件单粒子辐射效应及物理过程的基础上,系统地探讨了功率VDMOS器件的单粒子辐射加固技术。提出了DSPSOIMOS和DBLMOS两种单粒子辐射加固器件新结构,并完成了器件的设计、流片和辐射试验验证。本文以DBLMOS器件为典型介绍了器件样品的设计和工艺细节,分析讨论了经中国科学院近代物理研究所SFC+SSC回旋加速器的单粒子辐射试验结果。结果表明:采用能量为1400.8MeV、硅中射程为83.3μm、LET值为81.35MeV.cm2/mg的181Ta粒子垂直辐射DBLMOS器件,器件的单粒子辐射安全工作区由普通功率VDMOS器件的60V提高到了120V,提升了100%。在功率VDMOS器件的辐射效应、评估模型、加固技术、辐射试验等方面提出了自己的见解,主要研究内容及成果如下:1、功率VDMOS器件单粒子辐射效应的研究已经具有超过30年的历史,由于器件内部固有地存在栅氧化层和寄生三极管结构,因此在已经公开的文献报道中功率VDMOS器件的单粒子辐射效应包括与栅氧化层相关的SEGR效应和与寄生三极管相关的SEB效应,而未出现SEGR与SEB相关性的描述。本文在深入分析SEB和SEGR效应的基础上,提出了功率VDMOS还存在SEB致SEGR效应,即:当重粒子由VDMOS器件的源区或沟道区入射时,存在先发生SEB后发生SEGR的现象,此效应在TCAD仿真和单粒子辐射试验中进行了复现。SEB致SEGR效应具有以下特点:（1）要触发SEB致SEGR效应,重粒子是从功率VDMOS器件的源区或沟道区入射;（2）如果栅氧化层在高温下的本征击穿电压足够高,SEB本身不会引起功率VDMOS器件烧毁;（3）SEB效应的发生,在器件的局部区域形成了高的电流密度,引起邻近栅氧化层附近局部晶格温度急剧增加,导致栅氧化层本征击穿下降,从而发生SEGR效应,进而引起SEB致SEGR效应发生。2、在分析功率VDMOS器件单粒子效应及深入理解重粒子与材料相互作用的基础上,把单粒子辐射VDMOS器件的过程分为能量沉积、原子电离和电荷收集三个阶段,并针对单粒子辐射的三个阶段提出了对应的器件级加固方法。第一阶段提出了屏蔽技术,即在芯片顶层制作Au、Cu、Ni等重金属层,用于衰减/屏蔽重粒子的能量,使得重粒子达到硅表面时能量降低的技术;第二阶段提出了复合技术,即在器件体内重粒子的入射径迹上制作复合中心,使得电离产生的新生电子-空穴对数量减少的技术;第三阶段提出了增强技术,即提高功率VDMOS器件栅氧化层的本征击穿和提高寄生三极管触发阈值的技术。由于三个阶段的单粒子辐射加固技术对应单粒子辐射过程的三个阶段,因此三个阶段的加固技术可以进行组合使用,构成了功率VDMOS器件单粒子辐射加固的系统框架和思路。实际研制了基于Ni金属屏蔽、Pt金属复合的单粒子辐射加固功率VDMOS器件,并通过了试验验证。3、按照功率VDMOS器件单粒子辐射加固整体框架和思路,利用Si-SiO2界面、高掺杂埋层对载流子寿命的调制作用,提出了带双层交错局部SOI和带双埋层的VDMOS器件新结构。数值仿真验证:带双层交错局部SOI的VDMOS器件（DSPSOIMOS）抗单粒子辐射安全工作区提升了50%;带双埋层的VDMOS器件（DBLMOS）抗单粒子辐射安全工作区提升了178%。采用能量为1400.8MeV、硅中射程为83.3μm、LET值为81.35MeV.cm2/mg的181Ta粒子垂直入射200V DBLMOS器件,器件的安全工作区由60V提高到了120V,提升了100%。4、在对功率VDMOS器件进行辐射试验验证过程中,发现了几个有趣的现象,其详细的物理机制还未完全明晰,作者尝试进行了解释,其深入的物理机制还需进一步开展研究工作。（1）在非破坏性单粒子试验过程中,随着辐射总注量的增加,功率VDMOS器件的漏源漏电流逐渐变大,且在辐射停止后不能立即恢复,出现单粒子辐射致类电离辐射总剂量的现象;（2）在对N沟道VDMOS器件进行电离辐射总剂量的试验过程中发现:器件的阈值电压是否反弹与外加偏置电压相关。当按照最劣漏偏置试验时,存在明显的阈值电压反弹现象;当按照最劣栅偏置试验时,未观察到反弹现象。
王勇[4]（2018）在《煤矿救灾机器人井下可视导航技术研究》文中认为煤矿地理区域范围大、井下巷道蜿蜒曲折且交叉众多、灾后巷道严重破坏造成地形复杂崎岖、灾后空气中不均匀的分布着爆炸性气体和粉尘、视觉环境黑暗潮湿、地下环境极大限制了无线通讯,这些环境因素对机器人的行走和导航造成了极大的困难。经过多年的努力,中国矿业大学在煤矿救灾机器人的防爆设计、行走机构的研究上获得了大量的成果,并通过重大项目的应用示范,获得了煤矿安全的认证,基本解决了煤矿救灾机器人的井下遥控行走问题,然而在井下导航上还缺乏深入研究,因此本文以采用可视化技术提高煤矿救灾机器人的导航能力为目标展开研究工作。首先,对煤矿井下的环境结构特点展开研究工作,包括巷道的灾前灾后的结构及地形特点、巷道内的视觉环境特点、巷道内的电磁环境特点三个方面。根据煤矿整体结构特点,本文将煤矿救灾机器人的整个救援流程划分为五个阶段进行分析,总结出不同阶段井下导航所面临的环境限制并提出相应的对策。根据零照度、粉尘和潮湿等井下视觉环境特点,分析其对视觉传感的影响。根据煤矿井下巷道结构以及存在各种设备造成的特殊电磁环境,分析巷道内电磁干扰和无线通讯特点对机器人的影响。其次,针对煤矿救灾机器人回传视频受到井下视觉环境因素影响而产生图像劣化的问题,提出采用图像增强的方式提高机器人的可视能力。主要包括:采用灰度直方图拉伸及均衡算法解决零照度问题;暗通道去雾算法解决粉尘、烟雾干扰问题;采用图像稳像算法解决机器人行走中的颠簸造成的图像抖动问题;采用热成像仪侦测生命体及发热设备;采用深度相机侦测井下的地形结构。再次,针对机器人行走在煤矿井下大区域空间内的位置可视化问题,采用虚拟现实技术实现整个煤矿矿井的三维可视化显示,并在其中标识出机器人的实时行走位置和空间行走轨迹。除了煤矿的整体三维模型,本文还采用模块化堆砌技术实现了煤矿井下灾害区域巷道模型的快速搭建,结合预埋RFID标签和反光标志牌识别等方法解决井下大地理区域的定位问题。利用改进的A*算法在虚拟三维空间中实现路径导航,结合机器人的视频遥控导航,实现了机器人的三维可视导航。再次,实现了虚实结合的可视导航试验平台,解决了试验样机因为由于安全和法规限制无法下井开展大量试验工作的问题。整个平台分为三个主要部分:可视导航算法的移动试验平台、虚拟可视导航试验系统、光学动作位置捕捉系统平台,平台将物理机器人及传感器、虚拟机器人及传感器相结合并进行了联调。最后,为了验证可视导航研究中的虚拟实验平台以及视频增强算法的可行性和有效性,本文进行了三项综合实验,分别是井下视觉环境虚拟实验、应用示范中的可视化导航实验和巷道内虚拟现实辅助可视导航试验。综上所述,本文通过对煤矿救灾机器人井下可视导航关键性技术的研究,提供给煤矿救灾机器人井下导航一些新的思路。
李铁虎[5]（2018）在《深亚微米和纳米级集成电路的辐照效应及抗辐照加固技术》文中指出随着我国航空航天技术的不断进步和核物理科学研究的深入,抗辐照加固集成电路的需求与日俱增。一方面我国抗辐照加固芯片研制尚处于起步阶段,自主研发能力还不够强,另一方面高性能抗辐照加固集成电路一直是西方发达国家技术封锁和产品禁运的首要目标,我国核心关键技术领域用抗辐照加固集成电路尚不能完全自主可控,长期受制于技术领先国家,因此对集成电路辐照效应和抗辐照加固技术进行深入研究将极大地促进我国国防和现代化事业的发展。集成电路设计工艺从深亚微米逐渐向纳米级技术节点过渡,辐照效应和抗辐照加固技术也日新月异。在0.18μm工艺水平以上,由于器件氧化层和场氧区较厚,总剂量效应较为显着。进入65 nm工艺节点以下,由于器件氧化层减薄,采用浅槽隔离技术,总剂量效应大大降低,已不再成为主要辐照损伤因素。但随着工艺缩减,单粒子效应引发的“软错误”对电路的威胁越来越严重,甚至超过其他所有失效因素的总和,成为电路可靠性的首要问题。本文在深亚微米（0.18μm）和纳米级（65 nm）体硅CMOS工艺水平上,对器件、电路的辐照效应及抗辐照加固技术进行了较为深入的研究,主要研究成果如下:（1）对0.18μm体硅CMOS工艺N沟道core和I/O晶体管进行了总剂量辐照实验,得到了晶体管电气特性在总剂量辐照下的变化。研究发现:辐照累积总剂量提升,晶体管亚阈区漏电流增大,阈值电压漂移,晶体管电气特性退化;I/O晶体管的总剂量效应比core晶体管明显,窄沟晶体管由于辐照诱生窄沟道效应的影响总剂量效应比宽沟晶体管显着;晶体管负体偏置能够减轻器件总剂量效应。基于晶体管辐照实验和器件参数提取,对0.18μm体硅CMOS工艺普通条形栅和无边缘NMOSFET进行了辐照效应SPICE建模。模型仿真结果与实验结果吻合较好,能有效预测器件、电路的总剂量响应。（2）研究了组合逻辑数字电路中SET脉冲的产生和传播。研究发现:入射重离子LET值增大,SET电流脉冲尖峰值增大,电流持续时间延长,SET脉宽增大;SET电流呈现脉冲尖峰之后的平台期,与传统双指数形态不同,表明晶体管电气耦合状态下单粒子响应有别于孤立的晶体管,采用混合模拟仿真能较精准预测电路SEE;宽沟晶体管SET脉宽小于窄沟晶体管,长沟晶体管SET脉宽大于短沟晶体管,在设计中可尽量选用沟道短而宽的晶体管以抑制SET效应。（3）研究了时序逻辑数字电路中SEU的物理机制。研究发现:0.18μm非加固标准6管SRAM的翻转截面高于65 nm SRAM,这主要是由于工艺缩减单粒子敏感体积减小,电荷收集量降低造成的。（4）研究了工艺缩减、工作频率提升等因素对电路SEE的影响。研究发现:增加阱接触数量,减小接触孔与器件之间的距离有助于降低SET脉宽,减轻阱电势调制,从而抑制SEE;重离子入射角度增大,器件间的电荷共享增强,通过脉冲压缩机制有助于减小SET脉宽;深N阱结构能够有效截断重离子入射产生的电荷漏斗,降低敏感节点电荷收集量,使得SET脉宽小于普通双阱工艺结构。（5）提出了一种抗SEU的SRAM单元电路拓扑新结构。此SRAM单元电路的SEU临界电荷高达12,320 fC,是非加固标准6T SRAM单元的1,000倍以上,与其他加固单元电路相比也有显着提升,而电气性能没有显着退化,能充分保证在强辐射环境下的高可靠应用。（6）基于65 nm体硅CMOS工艺设计开发了一款抗辐照加固标准数字单元库,可应用于实际抗辐照加固芯片研制。（7）基于0.18μm和65 nm体硅CMOS工艺分别设计开发了两款抗辐照加固芯片。提出了一种评估电路总剂量效应的正向体偏置法。与晶体管辐照效应SPICE模型仿真对比验证了新方法的有效性。提出了一种高速数据合成电路。与传统数据合成器相比,新数据合成电路避免了数据穿通的可能,且多级级联应用能够保证数据天然同步特性。设计了一种宽带锁相环VCO振荡带自动校准算法,实现了超宽频率范围覆盖的两个VCO振荡频率校正,在较短时间内实现较高精度的频率锁定功能。
杨杰[6]（2011）在《基于多源遥感数据地震前热异常分析》文中研究指明地震前出现热异常的现象,早已被国内外所关注。随着卫星遥感技术的发展,通过分析卫星数据能够在短时间内获取覆盖全球的地表信息,使得利用热红外遥感探测地球表面大面积的温度场分布,捕获震前热异常成为可能。本论文首先对国内外地震前热异常研究的现状进行了总结；然后介绍了地震热红外遥感的物理基础,并梳理了相关的机理解释；进而在前人研究的基础上,综合利用NCEP-FNL同化资料、NOAA卫星的射出长波辐射产品以及地面气象站的温度数据,分析了三个地震前的遥感热异常特征,得到一些有意义的结论；最后,探索了地震遥感热异常的规律性特征,并讨论了下一步的工作方向。本文主要研究内容及成果总结如下：1.利用NCEP-FNL资料的温度数据,分析了2010年台湾花莲地震前温度异常的时空演变特征。结果表明,地震前第5天,在震中的西北方向（即板块运动前端）出现增温现象,然后温度异常逐渐向震中方向移动,构造活动区的温度异常面积扩至最大；随后,该异常主要被控制在冲绳海槽和琉球海沟之间的地区。地震前2天,该异常逐渐消失。2.利用NOAA卫星的射出长波辐射资料,分析了2008年新疆于田地震前OLR时序变化及其空间演化特征。结果表明,震前异常增温呈现起始-加强-高峰-衰减-平静-再发震的过程,地震不是发生在长波辐射异常达到高峰时,而是发生在长波辐射异常已经平静的一个月后。此分析结果与利用NCEP-FNL资料的温度数据的分析结果基本一致。3.利用NOAA卫星的射出长波辐射资料,分析了2007年云南普洱地震前OLR时序变化及其空间演化特征。结果表明,普洱地震震前OLR序列存在明显的异常前兆,异常呈现起始—衰减—加强—高峰—平静—加强—再发震的过程,热异常区域沿断裂带逐渐向震中附近移动。此与震中附近地面气象站的温度变化情况基本一致。4.对比分析了三次地震前热异常的共性特征与差异,探索了地震前热异常的规律性特征。结果表明,利用NCEP-FNL资料的温度数据以及长波辐射数据,可以有效提取出与构造活动及地震相关的热异常信息；一般在发震前约40天之内出现热异常现象,异常呈现起始—衰减—加强—高峰—平静—加强—再发震的过程,热异常区域的空间分布跟该地区的构造有关,大多沿断裂带向震中逐渐迁移,具有较好的映震效应。
朱占平[7]（2011）在《带缝金属腔体、电子线路的微波耦合特性分析与基本电路的微波注入效应实验研究》文中进行了进一步梳理高功率微波与目标耦合效应研究是高功率微波应用与电子学系统加固领域的重要课题。本论文旨在研究微波与带缝腔体及基本电路的作用过程,在理论分析、数值模拟、微波注入实验的基础上,研究了微波与带缝腔体耦合、电路耦合及其电路传输效应问题,探索了一种系统研究和评估腔体封装系统微波效应的方法,对深入理解微波与带缝腔体及基本电路系统的相互作用具有重要意义。本文的主要研究内容和创新点有:1、对不同孔缝及孔缝阵列腔体的微波耦合特性进行了理论分析,得到了描述这些耦合特性的解析表达式,讨论了提高带缝腔体屏蔽性能的方法。首先利用互补天线理论,结合时域有限差分方法的数值模拟,分析了矩形、圆形、圆环、介质填充孔缝以及孔缝阵列的共振增强因子及共振耦合带宽与其尺寸和位置的关系。该理论适用于任意系统的带孔缝封装耦合特性的分析,所得到的耦合特性结论为系统的封装设计提供了依据。在此基础上利用空气离子化模型分析了矩形窄缝的击穿过程,推导了等离子体孔缝建立时间的表达式,详细讨论了微波波形和微波参数与等离子体孔缝的相互作用过程,并从物理上解释了矩形孔缝击穿时的尾融和频率偏移现象。微波在等离子体中的尾融现象为高功率微波窗口击穿的判断提供了理论参考,而利用尾融效应可制作等离子体限幅器,这是电子设备的高功率微波防护的一条可行途径。介质加载孔缝的耦合特性分析表明在模拟的情况范围内腔体的屏蔽性能最大可以提高6dB,介质加载是孔缝腔体耦合防护的另一条可行途径。最后总结了带缝腔体的耦合传输函数,完善了带封装系统的腔体耦合结构拓扑分析。2、对微波与电路的耦合特性进行了理论分析,利用得到的理论模型讨论了耦合过程中物理现象,为电子系统的电磁防护研究提供了参考依据。一方面利用等效传输线模型对同轴电缆及电子线路单线的耦合特性进行了理论研究,得到同轴电缆及电子线路单线的耦合防护的重点频带。另一方面在求解了等离子体覆盖电路的等效电路参数的基础上,利用拉普拉斯变换分析了沿线分布等离子体的产生对微波耦合和传输的影响,理论得到的频率漂移现象及随机加热为电路的防护提出了新的要求。3、采用理论分析、电路模拟和微波注入实验相结合的方法,研究了分别以74HC04和74LVCU04A两种芯片为核心的反相器基本缓冲及数模转换电路的微波效应问题,弥补了目前元器件和复杂电路系统的微波效应机理研究的不完整性,拓展了前人的研究成果。详细分析了线性干扰、非线性扰乱和损伤三个等级效应的微波有效功率阈值及其随频率、脉冲宽度和重复频率的影响,给出了线性干扰的电路放大倍数,通过反相器闩锁过程对非线性扰乱进行了机理分析,并利用元器件热积累模型推导了器件损伤与微波脉宽关系式。典型的实验结果是,在固定环境温度的注入实验中,有效注入功率大于26dBm,频率在3GHz以下的微波均可使设计的74HC04效应电路的噪声容限下降40%以上;有效注入功率大于23dBm,频率在3GHz以下的微波均可使设计的74LVCU04A效应电路的噪声容限下降40%以上;注入微波使非线性扰乱强度达到10%时的有效功率阈值比使线性干扰强度达到40%时的有效功率阈值大6-8dB。相同线性干扰或非线性扰乱强度的注入有效功率阈值近似随频率的提高而增大。在研究注入微波波形对微波效应的影响的实验中发现线性干扰随脉冲宽度的变化没有明显变化,而非线性干扰阈值随注入微波信号脉宽变化明显,拐点约为40-70ns不等,与反相器中的CMOS器件寄生三级管的导通电流积累有关。另一方面,注入微波的重复频率对微波线性干扰及非线性扰乱效应阈值影响很小。4、对微波注入实验结果进行了统计分析,证明了微波注入实验方案与实验结论的合理性,提出并研究了带缝腔体封装基本电路的微波效应的评估方法。数据处理主要包括无显着影响的参数的效应结果的统计检验、信号干扰规律的线性回归拟合检验、未知规律曲线的测量点置信区间估计、实验样本容量的选取以及损伤效应的“总体作用概率置信下限”分析,得到了确保实验可靠性和数据可信度的方法,同时利用网络算法对带孔缝金属封装的基本电路多层结构的微波耦合特性进行了分析,总结了系统传输函数矩阵。这些注入实验分析及数据处理的方法为电子系统微波注入效应实验提供了一条可行的技术方案。
苏觉[8]（2009）在《激光型光纤传感器在电流测量和光纤激光陀螺中的应用》文中研究表明光纤激光器是指以光纤或掺杂光纤作为工作媒质的一类激光器,因为它具有低阂值、高效率、窄线宽、可调谐、稳定性可靠、紧凑小巧、重量轻和高性能价格比等众多优点,可以广泛的应用于传感、通信、医疗、军事等领域。特别是可以作为激光型光纤传感器（Polarimetric Fiber Laser Sensor）,通过直接测量光纤激光器正交模式的拍频变化来监控外界扰动。由于它具有高灵敏度、易于测量等特点,近年来受到了广泛关注。目前,对激光型光纤传感器的研究主要集中在测量压力、电流、液压、温度等方面。本论文的工作主要围绕着两种用作激光型传感器的光纤激光器及其在非互易测量（包括电流传感和陀螺）中的应用来展开。在激光型光纤传感器的设计、实验现象的理论解释等方面做了如下的研究工作:光纤激光器的基本原理与设计方案概述了激光和光纤激光器的基本原理,包括光与物质的相互作用,激光振荡的条件及频谱分布等激光产生的基本原理:掺铒光纤的增益性质,空间烧孔效应和外界扰动对激光输出稳定性的影响,光纤激光器的实际极限带宽等光纤激光器的相关知识;分别讨论了双向单纵模环形腔激光器和多波长激光器的设计方案;系统地分析了掺杂光纤饱和吸收体中形成的动态光栅的反射谱特性。激光型电流传感器的实验研究利用空间烧孔和饱和吸收体设计了一种三波长光纤F-P腔激光器,给出了设计原则以及激光器的本征偏振态:采用琼斯矩阵方法分析了三波长光纤激光器用作电流传感时的理论模型。着重分析了传感区光纤双折射对电流传感的影响,同时对温度特性进行了讨论;实验验证了激光器的设计方案,得到了稳定的三波长光纤激光器;通过外加感应区,得到了线性系数为3.05KHz/A的激光型电流传感器。线偏振光光纤激光陀螺的研究提出并设计了一个光纤非互易器件—方向相关偏振器,理论上分析了器件的工作原理并给出了测试方法。样品测试的结果为插入损耗为0.61dB,消光比大于23.35dB;首次采用方向相关偏振器和由窄带薄膜滤波器与M-Z干涉型梳状滤波器组合而成的混合滤波器实现了一种新型稳定的双向单纵模掺铒光纤环形腔激光器。对存在双折射时,温度变化对零漂的影响做了分析,得出在折射率差为0.01,温度变化0.01℃时,零漂约为10KHz的数量级:实验验证了线偏振态光纤环形腔激光器的设计方案,得到了激光阈值为16mW的双向单纵模光纤环形腔激光器。当泵浦功率为20mW—70mW时,在CW和CCW方向上始终保持为单纵模工作。用于光纤环形腔激光陀螺系统中时,其拍频输出有大于30dB的信噪比。调节腔内的偏振控制器,当零频偏置分别为1.68MHz和409KHz时,均得到了较好的拍频漂移量与角速度的线性曲线,其斜率分别为1.38KHz/（deg/sec）和1.23KHz/（deg/sec）,零漂约为7kHz,与理论相符。对实验中出现的零频偏置较小时陀螺的比例因子降低的现象进行了分析,并给出解决思路。得到了第一台连续波的光纤激光陀螺。圆偏振光光纤激光陀螺的研究提出一种圆偏振态工作的光纤激光陀螺。从理论上分析了互易器件—圆偏振起偏器的原理,以及圆保偏光纤—扭转光纤的保偏特性,并改进了扭转光纤的制作方法;首次推导了光纤激光陀螺闭锁现象的解析表达式,并做了数值模拟,得到在FSR=34MHz,D=38cm,λ=1.55μm情况下,闭锁阈值约为Ω≈7.3°/s;首次实现和证实了圆偏振态激光器的设计方案,得到激光阈值为35mW的双向单纵模光纤环形腔激光器。实验中的工作泵浦功率用在50mW,处于连续波工作状态,运行基本稳定,工作波长为1549.956nm,两路输出功率相当,均可大于0.1mw。用于光纤环形腔激光陀螺系统中时,其拍频输出有大于30dB的信噪比;斜率（即比例因子）为2.67KHz/（deg/sec）;零漂为±1.5KHz;灵敏度为1°/s:闭锁阈值约为10°/s,与理论相符。最后对实验中存在的一些问题进行了分析,并给出解决思路。证明了圆偏振光光纤激光陀螺工作机理的正确性。
谢志远[9]（2009）在《面向10kV配电网运行监测的电力线通信关键技术研究》文中进行了进一步梳理通信技术在配电网运行监测领域起着非常重要的作用。基于电力线通信技术实现对配电网的运行监测与控制,具有一定的优势,它可以充分利用配电网现成的物理网络进行通信和数据传输。然而,由于配电网线路存在严重的电磁干扰、信道衰减等问题,影响了电力线通信的可靠性。本文针对电力线通信的关键技术在理论上进行了深入研究,并结合我国10kV配电网特点,研制了适合于我国配电网应用的电力线通信系统,并实现了对配电网运行的监测。论文的主要工作及成果如下:通过对10kV配电网线路进行实际测量,详细分析了10kV配电网电力线信道的衰减特性和噪声特性,以及对电力线通信的影响;在此基础上,提出了采用窄带多载波正交频分复用技术,作为10kV配电网电力线通信调制技术的方法。在分析了该技术原理、特点和实现方法的基础上,设计了基于ARM和FPGA的专用OFDM调制解调器单元。根据电力线信道的特点,提出了基于判决反馈的信道估计方法,这种方法使用前一个OFDM符号计算得到的信道估计值去均衡下一个接收符号,形成一个集判决,反馈,信道估计为一体的回路。该方法能够较好地跟踪信道的变化,计算量小、实时性高、容易实现。它不需要加入导频符号,能够进行连续信道估计,大大提高了系统传输效率。将该信道估计方法用于电力线通信系统中,取得了较好的效果。此外,针对PLC信道存在强突发性干扰和衰落,本文还提出了有效对抗信道频率衰落的自适应信道估计方法,通过采取信道估计,提高了OFDM通信解调的可靠性。针对实际10kV配电网电力线信道噪声的特点,以及对电力线通信性能的影响,提出了一种适合10kV配电网电力线通信的信道编码方法,通过将改进的BCH码与改进的随机分组交织编码相结合,有效地降低了电力线通信的误码率,采用该方法可以连续纠错64bit突发错误。基于ARM微处理器,用软件方法实现了包括纠错编码、交织编码在内的信道编码。在深入研究了10kV配电网电力线通信的若干关键技术的基础上,研制了适用于10kV配电网运行监测的电力线通信系统。以此为通信平台构建了10kV配电网运行监测系统。本论文所研制的“电力线通信测控系统”和“一体化载波通信智能开关”已经申请国家发明专利。在深入分析10kV配电网线路的典型干扰及其对监测设备影响的基础上,采取了行之有效的硬件和软件抗干扰措施,提高了整个系统的运行可靠性。对所研制的10kV配电网运行监测系统,依据《中华人民共和国电力行业标准》DL/T 790和DL/T 721的要求,进行了测试和现场试验。设计的系统经过1年来的现场实际运行,证明通信可靠,监测准确,达到了对10kV配电网运行监测的要求。
汪柳平[10]（2008）在《强电磁脉冲与有孔矩形腔耦合及地下强电线与地下管线之间互感系数相关研究》文中研究说明随着电子技术越来越朝着高频、高速、高灵敏度、高可靠性、多功能小型化的方向发展,导致了现代电子设备产生和接受电磁干扰的几率大大增加。电磁兼容一般指电气及电子设备在共同的电磁环境中能执行各自功能的共存状态,是设备、系统的重要质量指标,也是保障系统工作效能和提高系统可靠性的重要因数。普遍受到各国工业界、研究机构和军事部门的高度重视,被各国确认为电子产品的强制认论证重要组成部分。屏蔽被认为解决电磁兼容问题主要三大手段之一,而备受关注。外界强电磁脉冲与系统相互作用耦合的途径主要有“前门”耦合和“后门”耦合。耦合研究是弄清系统效应和系统在强电磁环境下加固技术的关键问题。本论文针在空腔、腔体内布置印刷电路板（PCB板）、腔体内安装金属支架三种情况下,分别对外界强电磁脉冲与腔体壁上的孔缝之间耦合进行了理论研究和数值分析;针对地下强电线（如电力线）传输的电压愈来愈高,地下管线（如通信线）愈来越多,强电线对管线的干扰越来越严重。本文对强电线与地下管线相互干扰的重要参数（即互感系数）进行物理分析和计算公式化简。上述方面本文已取得了主要创新点及研究成果如下:1.介绍了Robinson,M.P等人有孔矩形腔传输线模型的基本理论及计算有孔矩形腔体屏蔽效能的计算公式。针对上述孔缝计算公式没有考虑到入射电磁脉冲极化方向,在此基础上本文完整分析和推倒入射强电磁脉冲为任意极化方向条件下,屏蔽腔体屏蔽系数计算公式并给于物理解释。通过对解析计算与数值仿真分析了孔缝大小、孔缝位置、孔缝的形状、孔阵中孔缝之间的距离、外界电磁脉冲的极化方向等因素对腔体屏蔽效能的影响,提出多项针对屏蔽腔腔加固设计技术的结论。2.运用电磁场在屏蔽材料表面损耗结论,针对耦合进入腔体电场能量主要集中在腔内谐振频率附近构成对屏蔽腔内的电子系统危害,本文通过在屏蔽腔内壁上涂敷针对谐振频率的有损耗人造电介质涂层,实现了在相同电介质厚度条件下对该谐振频率最佳的抑制效果。3.针对屏蔽腔体是为保护电子系统而设计,本文运用电磁场理论完整分析和推倒出在屏蔽腔体内安装印刷电路板（PCB板）条件下,有孔屏蔽腔体内屏蔽系数计算公式。通过对上述有孔屏蔽腔内屏蔽系数解析计算与数值仿真一致表明:印刷电路板的损耗作用能明显改善腔体谐振频率附近屏蔽效能,同时说明腔体的谐振频率对印刷电路板上的电子系统影响最大。4.针对屏蔽腔体内通常安装金属板或金属支架情况,本文运用电磁场波导理论,分析和推倒在腔体内安装金属板或金属支架条件下,屏蔽腔体内屏蔽系数计算公式。通过解析计算与数值仿真一致表明:金属板在腔体内的大小、数量、位置可以明显改变腔体的谐振频率。因耦合进入腔体电场能量主要集中在腔内谐振频率附近,这对为保护电子系统而进行屏蔽腔设计有理论和实践指导意义,但腔内的金属板不能改变腔体内整体屏蔽系数。5.针对地下强电线对地管线干扰越来越严重,原有解决两条地下电缆之间互感系数计算公式包含由特殊函数（如Neumann函数、Struve函数）的无穷积分计算。本文将特殊函数展开适当取项,得出简化计算公式,由于简化公式内没有特殊函数的计算和复杂的函数积分,故该公式的运用是比较简便,并在极端条件下对公式进行了验证,可供工程设计计算参考。
二、对辐射感应闭锁窗口现象的解释（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、对辐射感应闭锁窗口现象的解释（论文提纲范文）
（1）φ50mm穿孔机电气智能设计及柜体孔阵屏蔽效能影响探究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 国内外发展与现状 |
| 1.2.1 传统AutoCAD电气系统设计现状 |
| 1.2.2 智能制造趋势下的智能化设计现状 |
| 1.3 智能化设计发展趋势 |
| 1.3.1 工业4.0下的智能设计趋势 |
| 1.3.2 智能制造下的控制柜4.0解决方案 |
| 1.4 本论文主要研究内容 |
| 第二章 穿孔机控制系统设计原理 |
| 2.1 传统控制系统设计和生产流程简介 |
| 2.2 基于智能技术的设计流程优化 |
| 2.2.1 智能设计理论简介 |
| 2.2.2 基于ESIA原则的设计流程优化 |
| 2.2.3 控制系统设计流程优化体现 |
| 2.3 智能设计中数字孪生技术的应用 |
| 2.3.1 数字孪生的支撑技术 |
| 2.3.2 CPS多视图协同机制 |
| 2.4 控制系统电磁屏蔽概述 |
| 2.4.1 电磁干扰与电磁屏蔽 |
| 2.4.2 偶极子天线模型介绍 |
| 2.4.3 平面波源的传输线法和数值法比较 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 穿孔机电气系统设计 |
| 3.1 穿孔工艺流程 |
| 3.1.1 无缝钢管生产工序 |
| 3.1.2 穿孔机设备构成及穿孔原理 |
| 3.2 系统设计方案 |
| 3.2.1 系统设计要求 |
| 3.2.2 电机控制要求 |
| 3.2.3 整机稳定性要求 |
| 3.3 系统主要器件选型 |
| 3.3.1 电机与减速机选型 |
| 3.3.2 软启动器选型 |
| 3.3.3 变频调速装置选型 |
| 3.3.4 其它器件选型 |
| 3.4 电气系统设计 |
| 3.4.1 主电路设计 |
| 3.4.2 控制回路设计 |
| 3.4.3 主PLC设计 |
| 3.4.4 系统配电设计 |
| 3.5 系统可靠性设计 |
| 3.5.1 热设计 |
| 3.5.2 降额设计 |
| 3.5.3 EMC设计 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 基于孪生体建模的布线和制冷选择 |
| 4.1 基于虚实同步的可视化模型 |
| 4.1.1 CPS多视图场景集成模型构成 |
| 4.1.2 基于虚实映射的数字孪生体表达方法 |
| 4.2 Pro Panel环境下搭建孪生体 |
| 4.2.1 几何模型建立 |
| 4.2.2 Access部件库的补充和3D宏的创建 |
| 4.2.3 母排的折弯设计 |
| 4.2.4 电柜整体布局 |
| 4.3 布线路径优化与制冷设备选择 |
| 4.3.1 布线路径优化 |
| 4.3.2 柜体制冷空调选择 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 柜体散热孔的屏蔽效能仿真及分析 |
| 5.1 基于FEM的屏蔽效能计算方法 |
| 5.1.1 屏蔽效能计算方法 |
| 5.1.2 有限元法计算屏蔽效能 |
| 5.2 仿真模型及工具介绍 |
| 5.2.1 仿真工具介绍 |
| 5.2.2 模型的导入及边界条件确定 |
| 5.3 近场屏蔽效能仿真及分析 |
| 5.3.1 孔间距不同的屏蔽效能分析 |
| 5.3.2 孔径Rhole不同的屏蔽效能分析 |
| 5.3.3 孔外形不同的屏蔽效能分析 |
| 5.3.4 孔阵列不同的屏蔽效能分析 |
| 5.3.5 控制柜散热孔阵选取 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（2）三端混合直流输电线路保护方法研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 引言 |
| 1.1 课题的研究背景与意义 |
| 1.2 直流输电系统发展 |
| 1.3 故障保护国内外研究现状 |
| 1.4 本文主要研究内容 |
| 2 混合直流输电系统建模与故障特性分析 |
| 2.1 混合型直流输电系统拓扑结构 |
| 2.2 混合直流输电系统的构成及运行机理 |
| 2.2.1 系统拓扑结构 |
| 2.2.2 混合直流输电系统运行机理 |
| 2.2.3 系统稳态运行仿真结果 |
| 2.3 混合直流输电系统故障特性分析 |
| 2.3.1 LCC直流出口侧故障特性分析及仿真 |
| 2.3.2 混合子模块MMC故障特性分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 基于时频谱分量的单端混合直流输电线路保护方法 |
| 3.1 混合直流输电线路保护的特殊性 |
| 3.2 短时傅里叶变换 |
| 3.3 直流输电线路保护原理及判据 |
| 3.3.1 保护启动原理及判据 |
| 3.3.2 故障选极原理及判据 |
| 3.3.3 基于时频谱的区内外故障识别原理及判据 |
| 3.4 保护方案 |
| 3.4.1 保护方法逻辑框图 |
| 3.4.2 保护方法流程 |
| 3.5 仿真分析 |
| 3.5.1 故障选极仿真 |
| 3.5.2 区内外故障仿真 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 基于功率增量方向纵联保护方法研究 |
| 4.1 电流与电压增量方向特性分析 |
| 4.2 基于功率增量方向的保护原理 |
| 4.2.1 保护启动原理及判据构成 |
| 4.2.2 电流与电压增量极性方向获得方法 |
| 4.2.3 区内外保护判据的构成 |
| 4.2.4 故障选极判据的构成 |
| 4.3 保护方法方案 |
| 4.3.1 保护方法逻辑框图 |
| 4.3.2 保护方法流程 |
| 4.4 保护方法验证 |
| 4.4.1 区内外故障仿真 |
| 4.4.2 故障选极仿真结果 |
| 4.4.3 保护性能验证 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（3）单粒子辐射加固功率MOSFET器件新结构及模型研究（论文提纲范文）
| 缩略词对照表 |
| 摘要 |
| AbstractⅪ |
| 第一章 前言 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 国内外研究现状及水平 |
| 1.2.1 国外研究现状及水平 |
| 1.2.2 国内研究现状及水平 |
| 1.3 空间辐射环境及基本辐射效应 |
| 1.3.1 空间辐射环境 |
| 1.3.2 电离辐射总剂量效应 |
| 1.3.3 单粒子辐射效应 |
| 1.3.4 电子辐射效应 |
| 1.3.5 质子辐射效应 |
| 1.4 单粒子辐射加固MOSFET面临的挑战 |
| 1.4.1 航天应用对MOSFET的可靠性要求 |
| 1.4.2 航天应用对MOSFET的抗辐射要求 |
| 1.5 论文组织架构及研究内容 |
| 第二章 功率MOSFET的单粒子效应及损伤模型 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 重粒子与材料的相互作用 |
| 2.2.1 重粒子在材料中的能量损失 |
| 2.2.2 重粒子在材料中的射程 |
| 2.3 功率MOSFET的单粒子辐射效应 |
| 2.3.1 功率MOSFET的 SEB效应 |
| 2.3.2 功率MOSFET的 SEGR效应 |
| 2.3.3 功率MOSFET的 SEB致 SEGR效应 |
| 2.4 功率MOSFET的单粒子辐射损伤模型 |
| 2.4.1 描述单粒子效应的几个重要概念 |
| 2.4.2 功率MOSFET单粒子效应的影响因子 |
| 2.4.3 功率MOSFET的 SEB损伤模型 |
| 2.4.4 功率MOSFET的 SEGR损伤模型 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 功率MOSFET的单粒子辐射加固技术 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 功率MOSFET的整体加固思路 |
| 3.3 屏蔽技术 |
| 3.4 复合技术 |
| 3.4.1 局部高掺杂技术 |
| 3.4.2 异质材料界面技术 |
| 3.4.3 重金属复合中心技术 |
| 3.5 增强技术 |
| 3.5.1 栅介质增强技术 |
| 3.5.2 寄生三极管触发阈值提升技术 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 抗辐射MOSFET器件结构设计与工艺流片 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 材料的选择与参数设计 |
| 4.3 两种功率MOSFET器件新结构设计 |
| 4.3.1 两种功率MOSFET器件新结构对比分析 |
| 4.3.2 DBL_MOS器件元胞结构设计 |
| 4.3.3 DBL_MOS器件终端结构设计 |
| 4.3.4 寄生三极管检测结构设计 |
| 4.4 DBL_MOS器件电参数设计及抗辐射评估 |
| 4.4.1 DBL_MOS器件电参数设计 |
| 4.4.2 DBL_MOS器件抗辐射能力评估 |
| 4.5 DBL_MOS器件工艺设计 |
| 4.5.1 整体工艺流程设计 |
| 4.5.2 关键工艺模块设计 |
| 4.5.3 关键工艺窗口设计 |
| 4.6 DBL_MOS版图设计 |
| 4.6.1 DBL_MOS器件整体版图布局 |
| 4.6.2 DBL_MOS器件元胞版图设计 |
| 4.6.3 DBL_MOS器件终端版图设计 |
| 4.7 DBL_MOS器件流片结果与分析 |
| 4.8 本章小结 |
| 第五章 单粒子辐射试验系统及辐射试验 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 单粒子辐射试验源及注意事项 |
| 5.2.1 单粒子辐射试验源 |
| 5.2.2 单粒子辐射试验的注意事项 |
| 5.3 单粒子辐射试验系统设计 |
| 5.3.1 单粒子辐射试验原理 |
| 5.3.2 单粒子辐射试验系统 |
| 5.4 单粒子辐射试验结果与分析 |
| 5.4.1 单粒子辐射试验条件 |
| 5.4.2 DBL_MOS器件试验结果 |
| 5.4.3 单粒子试验结果分析 |
| 5.5 功率MOSFET的一些辐射试验新现象 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（4）煤矿救灾机器人井下可视导航技术研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 变量注释表 |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景、意义及来源 |
| 1.2 国内外研究进展 |
| 1.3 关键技术问题与研究目标 |
| 1.4 主要研究内容 |
| 2 煤矿井下巷道环境特点及其对机器人导航的影响 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 巷道结构环境特点 |
| 2.3 巷道内视觉环境 |
| 2.4 巷道内电磁环境 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 煤矿井下导航视频增强技术研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 灾后井下环境中的视频图像增强 |
| 3.3 机器人视频稳像 |
| 3.4 热成像可视化增强 |
| 3.5 深度相机辅助可视化 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 基于虚拟现实技术的井下机器人可视化导航 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 机器人虚拟现实可视化平台 |
| 4.3 机器人灾后井下定位技术 |
| 4.4 机器人虚拟现实可视化导航 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 可视导航试验平台搭建 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 移动试验平台搭建 |
| 5.3 光学动捕测试系统搭建 |
| 5.4 虚拟试验系统构建 |
| 5.5 试验平台联调 |
| 5.6 本章小结 |
| 6 煤矿井下机器人可视导航试验研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 井下视觉环境虚拟试验 |
| 6.3 应用示范的可视化相关试验 |
| 6.4 巷道内虚拟现实辅助可视导航试验 |
| 6.5 本章小结 |
| 7 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 创新点 |
| 7.3 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
| 学位论文数据集 |
（5）深亚微米和纳米级集成电路的辐照效应及抗辐照加固技术（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.1.1 辐射环境 |
| 1.1.2 抗辐照大规模集成电路的应用需求 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 本文主要研究内容 |
| 1.4 本文组织结构 |
| 第二章 电离辐射总剂量效应及加固技术 |
| 2.1 CMOS器件的总剂量效应概述 |
| 2.1.1 电荷生成 |
| 2.1.2 氧化层陷阱电荷俘获 |
| 2.1.3 界面陷阱电荷俘获 |
| 2.1.4 器件特性改变 |
| 2.1.5 边缘漏电效应 |
| 2.1.6 NMOSFET漏电流的影响因素 |
| 2.2 0.18 μm NMOSFET总剂量辐照实验 |
| 2.2.1 core晶体管的总剂量响应 |
| 2.2.2 I/O晶体管的总剂量响应 |
| 2.2.3 总剂量效应对晶体管特性参数的影响 |
| 2.3 0.18 μm NMOSFET抗总剂量加固技术 |
| 2.3.1 无边缘晶体管 |
| 2.3.2 无边缘晶体管SPICE建模 |
| 2.4 纳米器件的总剂量效应 |
| 2.4.1 65 nm体硅CMOS器件的总剂量效应 |
| 2.4.2 工艺缩减对纳米器件总剂量效应的影响 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 单粒子效应的机理 |
| 3.1 单粒子效应概述 |
| 3.2 单粒子瞬态的产生和传播 |
| 3.2.1 数字电路中的SET效应 |
| 3.2.2 SET脉冲在组合逻辑电路中的传播 |
| 3.3 单粒子翻转的形成机制 |
| 3.3.1 SEU的物理机制 |
| 3.3.2 SEU模拟仿真 |
| 3.4 单粒子效应的若干影响因素 |
| 3.4.1 工艺缩减 |
| 3.4.2 工作频率提升 |
| 3.4.3 离子能量 |
| 3.4.4 离子入射位置 |
| 3.4.5 阱接触 |
| 3.4.6 离子入射角度和阱结构 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 单粒子效应的加固技术 |
| 4.1 单粒子效应加固技术回顾 |
| 4.1.1 工艺加固 |
| 4.1.2 设计加固 |
| 4.2 一种抗单粒子翻转的新型SRAM单元电路设计 |
| 4.3 抗辐射加固标准数字单元库设计 |
| 4.3.1 抗辐照加固标准数字单元设计 |
| 4.3.2 抗辐照加固标准数字单元库开发 |
| 4.3.3 抗辐照加固标准数字单元库的特征化 |
| 4.3.4 抗辐照加固标准数字单元测试芯片设计 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 电路级抗辐照加固设计 |
| 5.1 0.18 μm抗辐照CMOS电路设计 |
| 5.1.1 抗总剂量加固基准偏置电路设计 |
| 5.1.2 芯片测试结果分析 |
| 5.1.3 评价电路总剂量效应的正向体偏置法 |
| 5.2 65 nm抗辐照CMOS电路设计 |
| 5.2.1 电路核心模块设计方案 |
| 5.2.2 芯片抗辐照加固设计 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 本文主要贡献 |
| 6.2 未来工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（6）基于多源遥感数据地震前热异常分析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题背景 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 国内研究现状 |
| 1.2.2 国外研究现状 |
| 1.3 研究的主要内容 |
| 1.4 研究的技术路线 |
| 第二章 地震热红外遥感基础与机理探索 |
| 2.1 热红外遥感概述 |
| 2.2 热辐射物理基础 |
| 2.2.1 热辐射的特点 |
| 2.2.2 热辐射基本定律 |
| 2.2.3 地物热红外的影响因素 |
| 2.3 地震热红外异常机理 |
| 第三章 数据及处理方法 |
| 3.1 数据 |
| 3.1.1 长波辐射数据 |
| 3.1.2 NCEP-FNL数据 |
| 3.2 计算原理与方法 |
| 3.2.1 物理原理 |
| 3.2.2 数据处理流程 |
| 3.3 数据处理 |
| 3.3.1 GRADS软件介绍 |
| 3.3.2 处理数据方法 |
| 3.3.3 利用GRADS软件进行数据处理 |
| 第四章 震前热异常实验及分析 |
| 4.1 2010年台湾花莲地震前温度异常 |
| 4.2 2008年于田地震前热异常 |
| 4.2.1 利用OLR数据分析于田地震前热异常 |
| 4.2.2 利用NCEP数据分析于田地震热异常 |
| 4.3 云南普洱地震OLR异常分析 |
| 4.4 地面实测温度异常 |
| 第五章 主要结论与展望 |
| 5.1 主要结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
（7）带缝金属腔体、电子线路的微波耦合特性分析与基本电路的微波注入效应实验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究的必要性 |
| 1.1.1 高功率微波技术与微波效应研究相辅相成发展 |
| 1.1.2 微波与目标作用过程研究极为重要 |
| 1.1.3 高速高集成电路的发展为微波效应研究提出新的要求 |
| 1.2 研究现状 |
| 1.2.1 系统耦合传输的研究 |
| 1.2.2 子系统及电路单元的微波效应 |
| 1.2.3 效应数据库、效应评估及防护加固 |
| 1.3 论文的研究意义、思路及主要内容 |
| 1.3.1 论文的研究意义 |
| 1.3.2 论文的研究思路 |
| 1.3.3 论文主要内容 |
| 第二章 微波与带缝金属腔体的耦合 |
| 2.1 孔缝耦合 |
| 2.1.1 矩形窄缝耦合特性的理论分析 |
| 2.1.2 圆形和圆环孔缝的耦合特性 |
| 2.1.3 加载孔缝的耦合特性 |
| 2.1.4 孔缝阵列 |
| 2.2 腔体及孔缝耦合的传输函数 |
| 2.2.1 复杂腔体内部的耦合分析 |
| 2.2.2 带孔缝腔体的耦合传输函数 |
| 2.3 带缝腔体的防护 |
| 2.4 本章总结 |
| 第三章 微波与电路的耦合 |
| 3.1 电路中线路的耦合 |
| 3.1.1 同轴电缆 |
| 3.1.2 电子线路中的单线 |
| 3.2 等离子体电路影响 |
| 3.2.1 电路等离子体的等效电路模型 |
| 3.2.2 沿线分布等离子体对纵向传输的影响 |
| 3.2.3 沿线分布等离子体对微波耦合的影响 |
| 3.3 本章总结 |
| 第四章 CMOS 反相器电路的微波效应研究 |
| 4.1 电路性能分析 |
| 4.2 效应电路中元器件的微波效应理论分析 |
| 4.2.1 微波注入CMOS 单元的闩锁效应模式及机理分析 |
| 4.2.2 CMOS 器件热电击穿机理分析 |
| 4.3 微波注入效应电路的数值模拟分析 |
| 4.3.1 电路的注入效应数值模拟模型 |
| 4.3.2 效应电路对微波的功率响应规律 |
| 4.3.3 效应电路对微波的频率响应规律 |
| 4.3.4 效应电路对微波的脉宽及重复频率的响应规律 |
| 4.4 微波注入效应电路实验系统及测量方法 |
| 4.4.1 数字脉冲信号发生器的设计 |
| 4.4.2 温度测量电路的设计 |
| 4.4.3 注入有效功率测量与计算 |
| 4.4.4 实验数据测量方法 |
| 4.4.5 小样品实验的统计特性有效性 |
| 4.4.6 注入式实验平台 |
| 4.5 效应电路的效应分析 |
| 4.5.1 线性干扰 |
| 4.5.2 非线性扰乱 |
| 4.5.3 损伤效应 |
| 4.5.4 注入实验效应总结 |
| 4.6 本章总结 |
| 第五章 微波注入实验的统计分析及微波辐照实验的扩展 |
| 5.1 注入效应实验中线性干扰阈值的统计分析 |
| 5.1.1 无显着规律影响的统计分析 |
| 5.1.2 线性干扰拟合检验 |
| 5.1.3 数据的置信区间估计 |
| 5.1.4 样本容量的选取 |
| 5.2 带封装系统微波效应综合 |
| 5.3 本章总结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 主要工作与结果 |
| 6.2 主要创新工作 |
| 6.3 今后工作展望 |
| 致谢 |
| 作者在学期间取得的学术成果 |
| 附录A 文中符号一览表 |
| 参考文献 |
（8）激光型光纤传感器在电流测量和光纤激光陀螺中的应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 激光型光纤传感器的基本原理 |
| 1.2.1 基本结构 |
| 1.2.2 基本特性 |
| 1.2.3 研究和应用的发展状况 |
| 1.3 光纤非互易性传感 |
| 1.3.1 电流传感的基本原理 |
| 1.3.2 光纤激光陀螺的基本原理 |
| 1.3.3 国内外的研究状况 |
| 1.4 本论文的章节安排 |
| 本章参考文献 |
| 第二章 两种用作激光型传感器的光纤激光器 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 激光器的基本原理 |
| 2.2.1 自发辐射 |
| 2.2.2 受激吸收 |
| 2.2.3 受激辐射 |
| 2.2.4 线型加宽 |
| 2.2.5 激光振荡 |
| 2.2.6 频谱分布 |
| 2.3 掺铒光纤激光器 |
| 2.3.1 掺铒光纤特性 |
| 2.3.2 模式竞争与模式跳变 |
| 2.3.3 掺铒光纤激光器的实际线宽极限讨论 |
| 2.4 双向单纵模光纤环形腔激光器 |
| 2.4.1 激光器的基本结构 |
| 2.4.2 抑制空间烧孔 |
| 2.4.3 光纤滤波器的选择 |
| 2.5 多波长光纤激光器 |
| 2.5.1 多波长激光稳定振荡的条件 |
| 2.5.2 实现多波长激光输出的方法 |
| 2.5.3 掺杂光纤的饱和吸收体 |
| 2.6 本章小结 |
| 本章参考文献 |
| 第三章 激光型光纤电流传感器 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 三波长光纤激光器的设计方案 |
| 3.2.1 激光器基本结构和本征偏振态 |
| 3.2.2 EDF的位置优化 |
| 3.3 激光型光纤电流传感器 |
| 3.3.1 理论模型 |
| 3.3.2 影响电流传感器特性的因素分析 |
| 3.3.3 影响电流传感器特性因素的模拟与优化 |
| 3.3.4 FRM非理想时的温度补偿 |
| 3.4 激光型光纤电流传感器的实验分析 |
| 3.4.1 实验装置 |
| 3.4.2 实验结果与分析 |
| 3.5 小结 |
| 本章参考文献 |
| 第四章 线偏振光光纤激光陀螺 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 方向相关偏振器 |
| 4.2.1 基本结构和理论分折 |
| 4.2.2 测试方法与结果 |
| 4.3 光纤激光陀螺的实现 |
| 4.3.1 双向单纵模光纤激光器的基本结构 |
| 4.3.2 传感原理和误差来源 |
| 4.4 光纤激光陀螺的实验 |
| 4.4.1 实验装置与器件设计 |
| 4.4.2 实验结果与分析 |
| 4.5 小结 |
| 本章参考文献 |
| 第五章 圆偏振光光纤激光陀螺 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 圆偏振光的实现 |
| 5.2.1 圆起偏器的设计和制作 |
| 5.2.2 圆保偏光纤 |
| 5.3 圆偏振光光纤激光陀螺的基本结构 |
| 5.3.1 光纤激光陀螺闭锁现象的理论推导 |
| 5.4 圆偏振光光纤激光陀螺的实验 |
| 5.4.1 实验装置与器件设计 |
| 5.4.2 实验结果与分析 |
| 5.5 小结 |
| 本章参考文献 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 论文主要内容 |
| 6.2 论文的主要创新点 |
| 6.3 今后的工作展望 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 |
| 在读期间参加的项目 |
（9）面向10kV配电网运行监测的电力线通信关键技术研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景和意义 |
| 1.1.1 我国配电网运行状况及存在的问题 |
| 1.1.2 课题研究的目的和意义 |
| 1.2 课题的研究现状及存在的问题 |
| 1.2.1 电力线通信技术应用及发展概况 |
| 1.2.2 PLC 通信关键技术研究现状及存在的问题 |
| 1.2.3 10kV 配电网运行监测对PLC 通信系统的基本要求 |
| 1.3 论文的主要研究工作 |
| 第二章 适合于10kV 配电网运行监测的PLC 通信调制技术研究 |
| 2.1 基于实测数据的10kV PLC 信道频率特性分析 |
| 2.1.1 10kV 配电网PLC 信道频率特性测试 |
| 2.1.2 影响10kV 配电网PLC 信道频率特性的因素分析 |
| 2.1.3 10kV 配电网PLC 通信对调制技术的要求 |
| 2.2 OFDM 调制技术理论分析 |
| 2.2.1 OFDM 调制技术的特点 |
| 2.2.2 OFDM 调制技术的原理 |
| 2.2.3 10kV 配电网PLC 通信应用OFDM 技术时需要解决的问题 |
| 2.3 一种适合于OFDM 调制的改进DFT 算法SIFT 算法研究 |
| 2.3.1 SIFT 算法的基本原理 |
| 2.3.2 SIFT 算法和FFT 算法比较 |
| 2.4 基于FPGA 的OFDM 单元核心算法的实现 |
| 2.4.1 SIFT 算法的FPGA 硬件实现总体结构和原理描述 |
| 2.4.2 SIFT 主要模块的实现 |
| 2.4.3 整个算法的综合仿真 |
| 2.5 基于判决反馈的OFDM 系统信道估计算法 |
| 2.5.1 OFDM 系统中信道估计算法概述 |
| 2.5.2 基于判决反馈信道的估计算法 |
| 2.5.3 仿真试验 |
| 2.6 有效抵抗PLC 信道突变衰减的自适应信道估计方法 |
| 2.6.1 基本LMS 自适应信道估计算法 |
| 2.6.2 对抗低压电力线信道突变衰减的有效算法LMSl |
| 2.6.3 性能仿真 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章 适应于10kV 配电网PLC 通信的信道编码技术研究 |
| 3.1 10kV PLC 信道噪声测试与分析 |
| 3.1.1 实际10kV 配电网PLC 信道噪声测试 |
| 3.1.2 10kV PLC 信道噪声分析 |
| 3.1.3 10kV 配电网PLC 通信对信道编码的要求 |
| 3.2 一种适合于软件实现的改进BCH 编译码器的设计 |
| 3.2.1 BCH 编码算法设计 |
| 3.2.2 BCH 码译码算法设计 |
| 3.3 能纠3 bit 误码的二进制BCH 码新型译码器研究 |
| 3.3.1 译码算法原理 |
| 3.3.2 译码器实现方法 |
| 3.3.3 适合于连续译码的BCH 译码器研究 |
| 4.3.4 译码器性能分析与比较 |
| 3.4 一种改进的随机分组交织器 |
| 3.5 基于ARM 微处理器的PLC 通信专用信道编码器的设计 |
| 3.5.1 编码单元的组成和工作原理 |
| 3.5.2 BCH 编解码的软件实现 |
| 3.5.3 交织/解交织的软件实现 |
| 3.5.4 整个信道编码器单元的性能分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 基于PLC 通信的10kV 配电网运行监测系统设计 |
| 4.1 基于PLC 通信的配电网运行监测系统总体方案设计 |
| 4.1.1 10kV 配电网运行监测系统组成及拓扑 |
| 4.1.2 10kV 配电网运行监测系统各部分的功能 |
| 4.2 PLC 通信系统的组成及整体功能分析 |
| 4.3 专用调制解调模块的设计 |
| 4.3.1 专用调制解调模块的原理 |
| 4.3.2 OFDM 基带调制单元的设计 |
| 4.4 通信规约在PLC 通信中的应用 |
| 4.5 10kV 配电网馈线自动化对FTU 的要求 |
| 4.5.1 10kV 配电网馈线自动化解决方案 |
| 4.5.2 馈线自动化终端实现的功能 |
| 4.6 基于PLC 通信的FTU 系统设计 |
| 4.6.1 FTU 硬件设计 |
| 4.6.2 FTU 软件及相关算法设计 |
| 4.7 FTU 系统中的保护算法和测量算法分析 |
| 4.7.1 保护算法分析 |
| 4.7.2 测量算法分析 |
| 4.7.3 主要电气参数计算 |
| 4.8 本章小结 |
| 第五章 10kV 配电网运行监测系统可靠性设计与试验测试 |
| 5.1 10kV 配电网运行监测系统可靠性设计研究 |
| 5.1.1 10kV 线路典型干扰分析 |
| 5.1.2 硬件抗干扰措施研究 |
| 5.1.3 软件抗干扰措施研究 |
| 5.2 配电网运行监测系统的测试 |
| 5.2.1 PLC 通信系统的测试 |
| 5.2.2 监测终端FTU/TTU 的测试 |
| 5.3 配电网运行监测系统现场试验分析 |
| 5.3.1 现场测试试验方案 |
| 5.3.2 试验内容 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论及展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录1 新产品现场运行报告 |
| 附录2 10kV 配电网535 线路拓扑结构图 |
| 个人简历、在学期间参加的科研工作及学术论文发表. |
（10）强电磁脉冲与有孔矩形腔耦合及地下强电线与地下管线之间互感系数相关研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 国内外电磁兼容研究概述 |
| 1.1.1 电磁兼容的概念 |
| 1.1.2 国内外电磁兼容研究的发展概况 |
| 1.2 论文的结构安排 |
| 1.3 本文的创新点如下 |
| 第二章 电磁脉冲研究现状及屏蔽 |
| 2.1 电磁场研究方法概述 |
| 2.1.1 电磁场数值分析方法 |
| 2.2 国内外对电磁脉冲研究的发展概述 |
| 2.2.1 强电磁脉冲耦合效应及研究方法概论 |
| 2.2.2 电磁脉冲孔缝耦合研究结论概述 |
| 2.3 有孔屏蔽腔电磁场能量的传输途径 |
| 2.3.1 "前门"耦合 |
| 2.3.2 "后门"耦合 |
| 2.4 电磁屏蔽的定义和作用原理 |
| 2.4.1 屏蔽效能的定量评价 |
| 2.4.2 主动屏蔽和被动屏蔽 |
| 2.4.2.1 主动屏蔽原理 |
| 2.4.2.2 被动屏蔽原理 |
| 2.5 屏蔽效能与源特性之间的关系 |
| 第三章 有孔薄矩形腔屏蔽效能传输线理论分析 |
| 引言 |
| 3.1 传输线理论 |
| 3.1.1.典型的分布参数系统 |
| 3.1.2.传输线的物理模型和电报方程 |
| 3.2 孔缝薄金属矩形腔屏蔽效能传输线分析 |
| 第四章 有孔薄矩形空腔屏蔽效能影响因素的分析 |
| 4.1 引言 |
| 4.1.1 静电放电电磁脉孔缝耦合的物理模型 |
| 4.2 单孔模型计算仿真结果及分析 |
| 4.2.1 腔体内的位置因素 |
| 4.2.2 大、小孔缝因素 |
| 4.2.3 屏蔽腔体大、小因素 |
| 4.2.4 平面电磁波任意极化方向时情况 |
| 4.3 孔阵模型计算仿真结果及分析 |
| 4.3.1 当孔缝之间的距离较远时 |
| 4.3.2 当孔缝之间的距离较近时 |
| 4.3.2.1 孔缝之间的距离比较 |
| 4.4 改进的ROBISON模型 |
| 4.4.1 Farhana Ahmad Po'ad等人模型 |
| 4.4.1.1 Farhana Ahmad Po'ad模型传输线理论 |
| 4.4.1.2 通过对Farhana Ahmad Po'ad等人传输线模型计算结果及其分析 |
| 4.4.1.2.1 验证Farhana Ahmad Po'acl等人传输线理论的有效性 |
| 4.4.1.2.2 腔体内的位置因数 |
| 4.4.1.3 入射电场极化方向因数 |
| 4.4.1.4 屏蔽腔的大小因数 |
| 4.4.1.5 屏蔽腔的孔缝大小因数 |
| 4.4.2.6 屏蔽腔的孔缝数量因数 |
| 4.4.2 The T.Konefal model模型 |
| 4.4.2.1 The T.Konefal model模型理论 |
| 4.4.2.2 通过对T.Konefal等人传输线理论计算结果及其分析 |
| 4.5 对谐振腔内谐振频率抑制 |
| 本章小结 |
| 第五章 装有物体有孔薄矩形腔体屏蔽效能 |
| 5.1 装有印刷电路板(PCB)的屏蔽效能研究 |
| 5.1.1 装有印刷电路板单孔矩形腔理论模型 |
| 5.1.2 装有印刷电路板单孔矩形腔模型计算仿真结果及分析 |
| 5.1.2.2 孔缝大小 |
| 5.1.2.3 PCB板大小 |
| 5.1.2.4 平面电磁波任意极化方向时情况 |
| 5.1.3 装有印刷电路板孔阵矩形腔模型计算仿真结果及分析 |
| 5.1.3.1 传输线法基本原理 |
| 5.1.3.2 装有PCB板的孔阵模型计算仿真结果及分析 |
| 5.2 装有金属板的屏蔽效能研究 |
| 5.2.1 装有金属板的屏蔽效能传输线法基本原理 |
| 5.2.2 装有金属板模型计算仿真结果及分析 |
| 5.2.2.1 金属板的大小 |
| 5.2.2.2 金属板距离腔体左边远近 |
| 5.2.2.3 装有金属板腔体距离孔缝远近 |
| 5.2.2.4 屏蔽腔孔缝大小因数 |
| 5.2.2.5 相同面积的孔阵与孔缝因数 |
| 5.2.2.6 金属板的数量 |
| 本章小结 |
| 第六章 地下强电线与地下管线之间互感系数研究 |
| 6.1 概述 |
| 6.2 互感系数M__的特殊函数解 |
| 6.2.1 互感系数模型的建立 |
| 6.2.2 大隔距地下电缆芯线地回路之间互感系数 |
| 本章小结 |
| 第七章 本文研究的总结和展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 |
四、对辐射感应闭锁窗口现象的解释（论文参考文献）
- [1]φ50mm穿孔机电气智能设计及柜体孔阵屏蔽效能影响探究[D]. 雷凯. 太原科技大学, 2021
- [2]三端混合直流输电线路保护方法研究[D]. 刘瑛琳. 北京交通大学, 2019(01)
- [3]单粒子辐射加固功率MOSFET器件新结构及模型研究[D]. 唐昭焕. 贵州大学, 2019(09)
- [4]煤矿救灾机器人井下可视导航技术研究[D]. 王勇. 中国矿业大学, 2018(02)
- [5]深亚微米和纳米级集成电路的辐照效应及抗辐照加固技术[D]. 李铁虎. 西安电子科技大学, 2018(07)
- [6]基于多源遥感数据地震前热异常分析[D]. 杨杰. 长安大学, 2011(04)
- [7]带缝金属腔体、电子线路的微波耦合特性分析与基本电路的微波注入效应实验研究[D]. 朱占平. 国防科学技术大学, 2011(03)
- [8]激光型光纤传感器在电流测量和光纤激光陀螺中的应用[D]. 苏觉. 中国科学技术大学, 2009(09)
- [9]面向10kV配电网运行监测的电力线通信关键技术研究[D]. 谢志远. 华北电力大学（河北）, 2009(11)
- [10]强电磁脉冲与有孔矩形腔耦合及地下强电线与地下管线之间互感系数相关研究[D]. 汪柳平. 北京邮电大学, 2008(11)