一、硅外延反应器中氢与石墨热化学反应的研究（论文文献综述）
马秀梅[1]（2019）在《基于外延工艺改善的快恢复二极管的良率提升研究》文中进行了进一步梳理硅外延片材料是现代大规模集成电路硅器件的基础专用功能材料,硅材料是电子信息产业的基础与支柱材料。其中,硅外延在半导体器件中扮演着重要的角色,而外延层品质的高低对产品最终的电性参数有着重要的影响。本文重点从如何对外延工艺进行优化改良,设备备件间如何匹配等因素来降低硅外延层中滑移线缺陷,并以快恢复二极管为研究载体,各因素的影响程度通过产品良率来量化衡量。实验数据证明:硅片形变弯曲程度可以与球面凹槽基座更加贴合匹配时,受热越均匀,硅片内温度梯度越低,热应力越小,滑移线缺陷减小,良率提升。对于工艺程序中的升降温时间调整,升温时间的延长对于热应力的累积起到了缓解作用,更利于温度在硅片内的均匀分布,缺陷面积降低。通过线圈高度调节补偿气流对温度的影响,可以有效的降低缺陷,线圈高度也是影响滑移线缺陷的影响因素之一。在以上因素共同变更的情况下,采用衬底背封边缘去除,对于FRD产品工艺来说,在去边宽度为0.6mm时得到了电阻率分布均匀,95%以上的产品良率。
朱晨曦[2]（2019）在《基于NICA的多晶硅还原炉能耗与质量优化》文中研究表明多晶硅还原炉是改良西门子法多晶硅生产工艺中最重要的设备,也是耗能最大的设备,在其中进行的还原工艺直接影响总的生产成本与生产质量。目前多晶硅产业的竞争越来越激烈,要在市场中求得生存,不仅需要提高产品质量,而且要提高生产过程中能源利用的效率,降低生产成本。但是国内外已有的研究大多是偏重改善能耗或提高产品质量中的单一方面,而实际生产中主要依靠工人的经验来调整工艺参数,而且以保证质量为主。为提高多晶硅企业的行业竞争力,本文综合能耗与质量两个方面进行了还原炉的能耗优化研究。针对上述问题,本文以多晶硅还原炉为研究对象,通过对其工艺及能耗进行全面的分析,确定了影响能耗与质量的四个工艺参数,建立了工艺参数关于单位产品能耗与沉积质量的多目标优化模型,求解得出了最佳的工艺参数组合。具体研究内容有以下几点:1、结合还原沉积过程的工艺原理及还原炉的具体结构,对其能源消耗的途径进行详细分析。分析了影响沉积速率及沉积质量的四个工艺参数,分别为硅棒温度,反应压力,进口流速以及H2摩尔比。最后提出通过提高硅沉积速率来提高能源利用效率的思路,用单位产品能耗作为还原过程的能源利用效率评估指标,并给出了计算公式。2、根据生产工艺的分析及企业调研数据,对还原炉结构及生产条件进行了适当简化,基于数值模拟的方法建立了多晶硅沉积过程的有限元仿真模型,选取多组工艺参数通过Fluent进行了仿真分析,研究了硅棒温度,反应压力,进口流速以及H2摩尔比对沉积均匀性与单位产品能耗的影响,也为后续的多目标优化模型提供了数据来源。3、提出了评估多晶硅沉积质量的质量评估指标,得出还原过程工艺参数与单位产品能耗及沉积质量的ELM（极限学习机）模型。根据多目标优化的理论,建立了单位产品能耗及沉积质量的多目标优化模型,结合NICA（新型免疫克隆）算法得到了Pareto最优解集。最后,设计了多晶硅还原炉能耗优化系统运用于生产实际。
胡志颖[3]（2019）在《Si单晶上原位生长Graphene/SiC/Si及其结构控制》文中研究表明立方碳化硅（3C-SiC）作为一种宽禁带半导体,是第三代宽禁带半导体基板材料的代表。目前常用的3C-SiC制备方法多使用四氯硅烷（SiCl4）、硅烷（SiH4）、甲基三氯硅烷（CH3SiCl3）等易燃易爆、有毒或具有强腐蚀性的前驱体参与反应。这不仅使得基板易受到腐蚀,要求对设备加装防爆、抗腐蚀和尾气处理等安全措施,设备周边也需要增设多种报警设施,以保证安全生产。此外,传统化学气相沉积法制备的石墨烯薄膜需要转移到具有高介电系数的衬底上进行应用,在转移过程中易引入大量缺陷。目前人们正在积极探索直接在半导体基板（SiC）上生长石墨烯的方法。本文采用激光化学气相沉积（LCVD）技术,在<111>取向硅单晶衬底上,仅使用丙烷作为原料气体安全、高效地制备了碳化硅薄膜。采用X射线衍射分析、扫描电子显微分析、拉曼光谱分析、透射电子显微镜等分析技术对碳化硅薄膜的成分与显微结构进行了分析,重点研究了碳化温度、碳化时间对碳化硅的择优取向、结晶度、显微结构、生长速率和外延关系以及各类晶体缺陷的影响规律。随后,在LCVD真空腔内激光照射外延SiC薄膜原位生长Si/SiC/石墨烯薄膜,研究了激光照射温度与照射时间对外延生长石墨烯的厚度、单晶尺寸以及质量的影响。研究结果表明:碳化温度为1373 K至1623 K,碳化时间为1 s至600 s范围内,薄膜表面呈三角形和六边形形貌。碳化生长速率随碳化温度的增加而增加,在碳化温度为1623 K时得到最大碳化生长速率为41.01μm/h。由极图分析结果可知,在碳化温度为1373-1673 K范围内,所获得3C-SiC薄膜为<111>取向外延生长,生长薄膜中含有孪晶与双向畴,其孪晶界与薄膜生长方向夹角为70.5o。当碳化温度由1373 K上升至1623 K时,界面处孔洞尺寸由0.828μm增加至2.312μm,孔洞密度由0.23/μm2降低至0.0466/μm2;孔洞密度随碳化时间增加并无明显变化,但孔洞尺寸由0.38μm增加至2.18μm。通过调节激光照射温度、时间对石墨烯层数、尺寸、质量进行了控制。石墨烯的层数伴随着生长温度的增加先增加后减小,在生长温度为1373 K、照射时间为10 s时得到最小层数为三层石墨烯;石墨烯的尺寸随着生长温度的增加先减小后增加,生长温度为1373 K、照射时间为10 s时,得到最大石墨烯尺寸为16.2 nm;而质量随着生长温度的增加先降低后升高,在生长温度为1373 K时,薄膜缺陷密度最小。通过对石墨烯生长工艺的控制实现了石墨烯层数的精确控制。
江罗[4]（2018）在《化工尾废气制备电子气体低汞催化剂研究及系统工业应用》文中研究表明催化剂无汞化是发展方向,但受制于昂贵的制备成本和较低的催化活性,因此难以工业化。目前通过催化剂低汞负载、汞再生及回收是汞减排的主要手段。化工尾废气的处理逐渐从无害化变为化工资源的再利用,尤其资源高值化,成为更先进的发展方向。利用低汞催化剂将PVC副产氯化氢尾废气中乙炔杂质转化为氯代烃,结合连续精馏将轻、重组分杂质脱除的工艺制备电子级氯化氢（HCl）,是实现尾废资源高值化及减少汞排放的有效途径。电子级氯化氢气体主要应用于半导体硅片外延工艺,控制HCl气体杂质含量是从尾废气体中制备电子级HCl气体的关键指标。由于乙炔（-84℃）与氯化氢（-85℃）沸点非常接近,通过催化反应使乙炔转化为氯乙烯（-13.9℃）,再通过精馏方法脱除杂质是最为有效的方法。因此乙炔氢氯化反应中所使用低汞催化剂的高效、稳定是整个工艺的关键技术。载体活性炭的物性对催化剂活性中心的负载分布有着较大影响,对催化剂性能有决定性的作用。本文在制备活性炭载体过程中,通过改变褐煤（HM）和宁夏太西煤（TX）比例、炭化温度、KOH活化剂比例、活化温度、活化时间、添加辅助活化剂Fe304等因素,考察其对活性炭孔结构及孔径分布的影响。研究表明,TX有利于活性炭微孔的形成,HM则有利于活性炭中孔的增加;随着炭化温度的升高,活性炭比表面积先增后减,在450℃时达到最高的1882 m2/g,孔容达到最大值1.09 cm3/g,中孔比例为59.8%;随着KOH添加比例（R）的增加,活性炭比表面积在R=2.0%时达到最高的1995 m2/g,孔容达到最大值1.38 cm3/g,中孔比例达到65.1%;在活化温度为T=800℃时,比表面积及孔容能够达到较优的1908 m2/g和1.23 cm3/g,同时中孔率、活性炭强度及活性炭收率也能达到一个较佳值;在活化时间为40 min时,比表面积及孔容能够达到2054 m2/g和1.39 cm3/g,同时活性炭强度及收率也较优;辅助活化剂Fe304的添加将活性炭比表面积及中孔率分别增加至2195 m2/g及72.3%,有助于提高活性炭的中孔率,同时也能增强活性炭强度。本文采用多步骤负载活性中心工序,提高其在载体表面及孔道中的分散性,这一方法对提高催化剂整体性能有着明显的作用。不同催化剂载体研 究 表 明,催 化 剂 活 性 顺 序 为 K-TX-O<K-WG-O<K-S20-O<K-S40-O<K-Fe0.8-O,中孔率高的活性炭载体有利于催化剂活性的提高,添加活化剂Fe304后形成的孔结构有利于增强催化剂寿命;添加辅助剂氯化钾,能够将载体中微孔“堵住”,提高催化剂活性中心氯化汞的分散性。同时氯化钾能与氯化汞形成共价配合物增强固汞效果,将催化剂活性下降时间从140小时提高到180小时;通过多次负载法浸渍活性中心氯化汞,使得其分散性得到提高,杂质乙炔剩余含量由0.38 ppm下降至0.29 ppm。在优化反应条件下,反应温度为140℃、氯化氢质量空速为0.4 h-1、反应压力不低于0.5 MPa时,催化剂活性最佳,能将原料中乙炔降低至0.1 ppm以下,达到催化反应除杂要求指标。通过对部分失活催化剂及完全失活催化剂的原位红外研究发现,部分失活催化剂失活原因主要是有机物在活性炭载体孔道内的累积,包覆载体表面的活性中心,从而降低了催化剂中活性中心的催化作用,使得催化剂性能下降,完全失活催化剂则还伴随着氯化汞的大量流失。本文利用高纯氯化氢强极性特征,在高温下与有机物形成键合作用,并将其带离载体孔道及活性中心表面,从而恢复催化剂相应活性。原位红外研究再生过程发现,随着再生过程的进行,部分失活催化剂中有机物得到逐步脱除,催化剂载体孔道得到逐步释放,催化活性有所升高;通过考察再生温度、再生氯化氢空速、再生时间等参数得出,优化再生条件为温度220℃、氯化氢空速500 h-1,时间60 hr;通过对完全失活催化剂进行原位氯化氢再生后再体外补汞的研究可知,完全失活催化剂经过体外再生后,其催化性能达到新鲜催化剂水平,寿命与新鲜催化剂相差约12%,再生效果明显。本研究将活性炭载体制备、低汞催化剂制备及催化反应-精馏工艺相集成的技术应用于制备电子用氯化氢中。经过模拟计算,在优化的脱轻组分精馏塔中,在塔板数为28,进料温度为17℃,回流进料比为2.3,经济能耗Y值达到最小,系统条件最优。在脱重组分精馏塔中,当塔板数达到16时,重组分杂质含量下降到设计规格以下,此时进料塔板最优为第12块,回流比为0.45。工业化产品HCl杂质组分达到电子级氯化氢国家标准值以下,满足微纳电子使用要求。连续生产的氯化氢产品稳定性分析结果为,氧、甲烷、一氧化碳、乙炔等杂质Cpk值均大于1.67,氮、二氧化碳、水分杂质Cpk值处于1.33与1.67之间,整体工艺处于A级水平。集成工艺已成功应用在淄博万达利电子氯化氢工业装置中,为国内外电子企业提供数百吨产品。
黄俊[5]（2018）在《金红石型TiO2（110）表面吸附TiCl4和O2机理的研究》文中研究说明随着我国经济的发展,社会各行业对高档钛白的需求日益增加,高档金红石型钛白进口量呈逐年递增的趋势,且随着其在医疗、环境保护等领域的推广应用,未来对钛白的需求量还会持续增加。目前,国际上完全掌握氯化法钛白生产技术的企业仅有科慕、特诺、康诺斯、日本石原等几家大公司,在市场经济利益及竞争的驱使下,上述公司对氯化法生产钛白的关键技术实施严格垄断封锁。氯化法是国际上生产高档金红石钛白的主要方法,具有产品质量好、环境污染小、自动化程度高、综合能耗低等优点,在钛白生产领域具有很高的应用价值和发展前景,然而,对于TiCl4的氧化反应机理却尚未明确,因此探明四氯化钛氧化反应机理已成为氯化法钛白生产技术的研发重点。氯化法生产钛白工艺流程当中,TiCl4的氧化是其技术核心。多年的生产经验及实验研究表明,在氧化反应器内,预热的TiCl4与O2在几毫秒内发生气相反应,生成TiO2成核前躯体,达到一定饱和度后开始形成TiO2晶核,随后TiCl4在晶核表面吸附和解离,促进晶核的生长,而TiCl4以及TiCl4与O2在TiO2（110）表面吸附及其吸附后相互作用的研究尚未见报道。因此,对于TiCl4以及TiCl4与O2在TiO2晶核表面吸附的研究有极其重要的意义。本研究基于密度泛函理论（DFT）,采用第一性原理平面波赝势方法,通过Materials Studio软件CASTEP、DMol3模块计算了TiO2（110）晶胞表面吸附TiCl4以及TiCl4与O2在晶胞表面的作用情况,并对其结果进行讨论。主要研究内容如下:（1）计算了完整晶胞表面、含氧空位TiO2（110）晶胞表面吸附TiCl4分子后分子与晶胞表面的距离、表面吸附能、电荷密度、差分电荷密度、态密度、Mulliken电荷布居等,并对其结果进行讨论。其研究结果表明,TiCl4在TiO2（110）表面的吸附以TiCl4面心向下吸附为主,表面氧空位的存在促使分子的吸附,当氧空位的密度为12.5%、25%时,TiCl4分子面心向下吸附距离分别为2.149?与2.065?,吸附能分别达到-29.7809 kJ?mol-1和-48.6419 kJ?mol-1;TiCl4在完整表面上吸附时没有电荷转移,在两种氧空位表面吸附后分别有0.20eV、0.26eV电荷从TiCl4分子向晶胞表面发生转移,说明TiCl4分子吸附于表面后被表面氧化,且随着氧空位密度的增加,TiCl4分子被表面氧化的程度更强。（2）通过Materials Studio软件CASTEP、DMol3模块计算了TiCl4与O2分子在TiO2（110）晶胞表面的吸附、解离过程,计算了TiCl4与O2分子在TiO2（110）晶胞表面的吸附上的吸附能;O2、TiCl4吸附在各吸附位点上的态密度、TiCl4与O2分子在TiO2（110）晶胞表面作用的过渡态结构、活化能垒等,其研究结果表明,O2分子在TiO2（110）表面垂直氧空位吸附构型的吸附能最大为-11.58 kJ?mol-1,Mulliken电荷布居分析表明表面向O2分子转移了的0.12eV电荷,说明O2分子在TiO2（110）表面垂直氧空位吸附构型为最佳吸附构型。
黄哲庆[6]（2013）在《多晶硅CVD反应器的计算传递学》文中提出本文旨在开发低能耗的新型多晶硅CVD反应器，并采用计算流体力学的方法研究反应器的动量、热量、质量传递及化学反应过程，以指导反应器的优化与设计，进一步降低反应器的还原电耗。本文第二部分首先介绍了现有多晶硅CVD反应器的结构及操作流程，分析了现有反应器的硅棒的排布方式，讨论了现有反应器的进气和出气方式，列举了现有一些反应器的底盘冷却结构。本文第三部分采用多表面辐射传热模型（S2S）研究了多晶硅CVD反应器的辐射传热过程，计算结果表明反应器从12对棒放大到18对棒和27对棒，反应器的辐射能耗分别降低7.8%和20.8%；将多晶硅的沉积速率从5μm min-1提高到20μm min-1，反应器的辐射能耗可降低75%；将反应器壁面的温度从373K提高到773K，反应器的辐射能耗可降低9.6%；将反应器内壁面的发射率从0.2降低到0.1，反应器的辐射能耗可降低的61.6%；另外通过比较了两种不同的硅棒排布的反应器辐射能耗，结果发现圆周排布反应器的硅棒与反应器壁面之间的辐射功率更低，硅棒与硅棒之间的辐射功率更高，这表明了在圆周排布反应器的硅棒排布更加密。本文第四部分在传统多晶硅CVD反应器基础上提出了一种新型反应器，并根据工业尾气组分推导反应器内的反应方程式，耦合这一反应模型，建立了描述反应器内动量、热量、质量同时传递及化学反应的数学模型，应用该模型分析了两反应器的性能。模拟结果表明：首先新型反应器内混合气的流场更加均匀，基本上为“平推式流动”，解决了传统反应器原料气走短路问题；其次新型反应器解决了传统反应器顶部区域温度过高的问题，避免了硅粉的生成，长期保持反应器内壁面的光洁度，从而降低了反应器的辐射能耗；第三，新型反应器内三氯氢硅在径向和轴向方向上都存在着较大的浓度差，这种浓度差可能造成多晶硅棒的直径不同，但是与上述两点相比，这种浓度分布不均匀对多晶硅棒直径的影响是可以接受的；最后与传统反应器结构的还原电耗相比，新型反应器的还原电耗至少可降低10%以上。本文第五部分提出了一种新型多晶硅CVD反应器的底盘冷却结构，并采用计算流体力学的方法模拟了新型结构的流动过程，模拟结果发现通过减小电极套筒的大小，减小电极套筒与底盘下底板的间距，改变中间隔板与底盘下底板的间距，都可以提高电极套筒流量的均匀度。
张攀,陈光辉,李建隆,姜晖琼[7]（2012）在《多晶硅制备技术及其研究进展》文中认为简述了国内外多晶硅生产工艺的发展和现状,介绍和比较了各种多晶硅的制备方法在产能、能耗及环境友好特性等方面的特点。介绍了多晶硅CVD的原理、反应机理及其研究方法,综述了流态化多晶硅CVD的基本原理、研究现状以及存在的问题。分析表明:利用硅烷流态化技术最有希望降低多晶硅生产成本;数值模拟作为描述CVD过程的重要手段需要进一步完善其模型,特别是对流态化CVD过程,需要建立各种物理化学现象的耦合作用模型。
康启宇[8]（2012）在《硅和四氯化硅耦合加氢反应制备三氯氢硅的工艺研究》文中研究指明妥善处理四氯化硅是提高国内多晶硅生产能力、实现光伏产业可持续发展而必须解决的迫切问题。硅和四氯化硅耦合加氢反应制备三氯氢硅是目前处理SiCl4,实现SiCl4循环再利用的比较有效的方法。本文研究了硅和四氯化硅耦合加氢反应制备三氯氢硅的热力学研究,基于Gibbs最小自由能原理,通过化学平衡产物组成分布的分析,确定了反应体系的主要产物SiHCl3, SiH2Cl2, HCl,并构造了三个相反应的独立反应,讨论了对应的反应热、自由能和平衡常数与温度的关系。计算所采用的温度范围为673～973K,压力为1～20atm,原料配比H2/SiCl4为1～5。结果表明,生成SiHCl3和SiH2Cl2的反应体系随着温度的升高,SiCl4平衡转化率及SiHCl3产率降低;高压和适中的原料配比H2/SiCl4有利于SiCl4转化率及SiHCl3产率的提高。本文还通过实验探究了反应温度、体系压力和H2/SiCl4进料比及反应所用金属催化剂对反应结果的影响。实验所采用的温度范围为673～973K,压力为1～20atm,原料配比H2/SiCl4为1～5。结果表明,生产随着温度升高,SiCl4平衡转化率及SiHCl3产率降低;高压和适中的H2/SiCl4原料配比有利于SiCl4转化率及SiHCl3产率的提高;使用金属铜为催化剂获得的SiCl4转化率和SiHCl3产率最高。
安静[9]（2011）在《P型硅外延片工艺技术的研究》文中认为21世纪的微电子技术仍将以硅为主流。硅外延材料为半导体硅器件特别是各类硅集成电路的发展提供了坚实、可靠的物质基础,支撑着当代微电子产业的持续发展。而外延材料的制造水平则成为世界各国集成电路产业是否独立自主的重要标志。P/P+硅外延片主要应用在超大规模集成电路和功率器件中,现在已经越来越受到人们的重视。随着衬底直径的增大,P型重掺衬底上生长的外延层的电阻率和厚度的均匀性却越来越难以控制。如何从工艺优化的角度去改善外延层的电参数已成为器件制造过程中的重要课题。本文分析了外延的生长原理和生长工艺,研究了影响外延生长速度和外延片质量参数的关键要素。通过改变反应气体中硅源流量、氢气流量及生长温度来观察硅外延生长速度的变化,发现硅片内热场分布不均匀是影响P/P+硅外延片厚度均匀性的重要因素。采用温度补偿方法,抑制了热场分布不均匀的影响,提高了P/P+硅外延片的厚度均匀性,使P/P+硅外延片的厚度均匀性控制在1%以内。P/P+硅外延片电阻率均匀性差的重要原因是衬底杂质的固态扩散和自掺杂现象。本文采用两步生长法有效抑制了自掺杂效应并提高了P/P+硅外延片的电阻率均匀性,使P/P+硅外延片的电阻率均匀性可以控制在2.5%以内。本文在进行两步硅外延生长工艺中发现本征厚度与外延层电阻率和厚度有一定的关系,通过工艺实验,明确了三者之间的变化趋势。
钟树泉[10]（2010）在《MOCVD设备工艺优化理论与低温InP/Si晶片键合机理的研究》文中研究指明本论文围绕任晓敏教授任首席科学家的国家973计划项目（No：2010CB327600,No：2003CB314900）,以及课题组所承担的国家863重大基金项目（No：2006AA03Z416,No：2007AA03Z418）、国家自然科学基金资助项目（No：60576018）、国家自然科学基金重大项目（No：90601002）等展开的。21世纪的信息技术,将是以信息功能材料为基础的微电子、光电子和光子技术融合的高新技术。加速发展半导体微电子、光电子信息功能材料及其相关集成技术,突破信息网络和高速信息处理的瓶颈,是当今世界范围内所面临的最重大的科学问题之一。本文作者针对MOCVD半导体材料外延生长的工艺参数优化理论和光电集成中的关键技术之一——基于特殊表面处理的低温晶片键合的物理化学机制,开展了大量的研究工作,得到了提高工艺可靠性、可重复性和稳定性的有效机制和途径,并取得以下研究成果：1.利用二维动力学模型,通过变化MOCVD反应器的进气流量、操作压力、衬底温度、侧壁温度、基座旋转等几个重要工艺控制参数,计算了反应器内部稳态流场和热场分布的相应变化,描述了稳态质量输运过程中产生的多种流动现象,并给出了相应的分析与说明。2.针对本实验室MOCVD设备的理论分析表明：如果该设备的工艺条件维持在下述范围内,进气量为10—15slm、操作压力为6.66—26.7 kPa、衬底温度为880—1000K、转速为90—110rpm,均能保持比较均匀的流场和温度场分布。3.在保持其它优化工艺参数不变的情况下,首次通过阶跃微扰反应器的进气量,计算了质量输运过程中的瞬态流动特征,得到了直观、清晰的结果,分析了延迟时间、驰豫振荡、自脉动振荡等瞬态现象产生的原因,为改进MOCVD外延生长技术,探索提高外延层均匀性、异质界面陡峭性和生长工艺可重复性的途径打下了基础。4.首次指出基于硼化物表面处理的InP/Si晶片键合中间层材料的化学键类型,是离子键、共价键、氢键和范德华力的混合键型,揭示了硼化物辅助InP/Si晶片的键合机理。5.首次判明在采用上述硼化物表面处理方法的低温InP/Si晶片键合过程中,键合界面处形成了一种低熔点微晶玻璃,其组成结构为Na2O-SiO2-B2O3-In2O3-POx,阐明了低熔点玻璃成分B、In、P在该过程中的作用。6.首次诠释了存在于晶片键合界面薄层中气泡的形成机制,为大面积、可重复的晶片键合技术提供了分析的依据。7.首次提出并设计了一种清洁度高、成本低的新型键合手套箱,其优势是一次性实现晶片清洗、表面改性、预键合等工艺,可以提高工作效率、改善键合质量以及实现工艺操作的灵活性。
二、硅外延反应器中氢与石墨热化学反应的研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、硅外延反应器中氢与石墨热化学反应的研究（论文提纲范文）
（1）基于外延工艺改善的快恢复二极管的良率提升研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 课题研究的意义及背景 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 论文研究的内容 |
| 1.4 本章小结 |
| 2 硅外延生长与晶体缺陷 |
| 2.1 硅材料 |
| 2.2 外延的定义 |
| 2.3 外延的分类 |
| 2.4 器件对外延片的要求 |
| 2.5 衬底的制备 |
| 2.6 硅外延原理 |
| 2.7 晶体结构与缺陷 |
| 2.8 外延生长中的缺陷 |
| 2.9 本章小结 |
| 3 滑移线产生机理及对快恢复二极管良率的影响 |
| 3.1 滑移线产生机理 |
| 3.2 PIN二极管 |
| 3.3 滑移线缺陷对快恢复二极管良率的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 实验设备与实验方案 |
| 4.1 设备结构 |
| 4.2 外延炉加热系统及其原理 |
| 4.3 快恢复二极管四层外延工艺过程 |
| 4.4 实验方案 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 实验验证与结果分析 |
| 5.1 不同曲率半径凹槽基座验证结果分析 |
| 5.2 不同升降温时间验证结果分析 |
| 5.3 加热线圈高度调整验证结果分析 |
| 5.4 衬底背封边缘去除验证结果分析 |
| 5.5 实验结论 |
| 5.6 本章小结 |
| 6 结论 |
| 6.1 主要研究工作 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
（2）基于NICA的多晶硅还原炉能耗与质量优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 背景及意义 |
| 1.1.1 研究背景 |
| 1.1.2 研究意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 还原炉能耗优化问题 |
| 1.2.2 还原炉数值模拟 |
| 1.2.3 多目标优化问题 |
| 1.2.4 研究现状小结 |
| 1.3 研究内容与结构 |
| 第二章 多晶硅还原炉能耗及质量分析 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 还原过程工艺分析 |
| 2.3 还原过程能耗分析 |
| 2.3.1 还原过程能耗组成 |
| 2.3.2 沉积速率及沉积质量影响因素分析 |
| 2.3.3 还原过程能耗优化分析 |
| 2.4 单位产品能耗建模 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 多晶硅还原炉硅沉积数值模拟 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 还原炉数值模拟模型构建 |
| 3.2.1 还原炉几何模型 |
| 3.2.2 沉积过程化学反应机理 |
| 3.2.3 还原炉硅沉积模型 |
| 3.2.4 还原炉网格划分与边界条件设置 |
| 3.3 模型验证 |
| 3.4 工艺参数对单位产品能耗与沉积质量的影响分析 |
| 3.4.1 硅棒温度 |
| 3.4.2 反应压力 |
| 3.4.3 进口流速 |
| 3.4.4 H_2 摩尔比 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 基于ELM与 NICA的模型建立与优化 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 沉积质量评估指标 |
| 4.3 基于ELM的能耗与质量模型建立 |
| 4.3.1 极限学习机 |
| 4.3.2 还原过程单位产品能耗与质量模型建立 |
| 4.4 基于NICA的能耗与质量多目标优化 |
| 4.4.1 多目标优化模型建立 |
| 4.4.2 基于新型免疫克隆算法的参数寻优 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 多晶硅还原炉能耗优化系统实现 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 仿真系统框架结构 |
| 5.2.1 能耗优化系统框架设计 |
| 5.2.2 系统功能模块设计 |
| 5.3 仿真模块功能实现及使用 |
| 5.4 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的成果 |
| 致谢 |
（3）Si单晶上原位生长Graphene/SiC/Si及其结构控制（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 碳化硅的结构、性质及应用 |
| 1.3 碳化硅的研究现状 |
| 1.4 石墨烯/碳化硅的制备与应用 |
| 第2章 实验与测试 |
| 2.1 碳化技术及设备 |
| 2.2 实验设计及工艺路线 |
| 2.3 测试方法及表征技术 |
| 第3章 Ar环境中3C-SiC薄膜的外延生长 |
| 3.1 碳化温度对薄膜生长的影响 |
| 3.2 碳化时间对薄膜生长的影响 |
| 3.3 碳化温度与碳化时间对薄膜生长中孔洞的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 碳化生长3C-SiC薄膜上石墨烯的原位生长 |
| 4.1 碳化硅外延石墨烯生长机理 |
| 4.2 碳化硅外延法原位生长石墨烯 |
| 4.3 工艺参数对原位生长石墨烯的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表论文、申请专利情况 |
（4）化工尾废气制备电子气体低汞催化剂研究及系统工业应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景及意义 |
| 1.2 氯化氢气体 |
| 1.2.1 含C_2H_2杂质HCl尾气的来源 |
| 1.2.2 含乙炔HCl尾废气气国内生产现状 |
| 1.3 含乙炔HCl尾气处理现状 |
| 1.4 电子工业用氯化氢生产方法 |
| 1.4.1 原料合成法制备电子级氯化氢 |
| 1.4.2 尾气吸附法制备电子级氯化氢 |
| 1.4.3 尾气连续精馏法制备电子级氯化氢 |
| 1.4.4 国内外电子级氯化氢制备进展 |
| 1.5 催化剂及其活性炭载体 |
| 1.5.1 汞及其氯化物催化剂的特点 |
| 1.5.2 汞催化剂现状及发展策略 |
| 1.5.3 低汞催化剂开发及汞污染控制 |
| 1.6 汞催化剂活性炭载体 |
| 1.6.1 载体活性炭孔结构调节 |
| 1.7 汞催化剂的失活与再生 |
| 1.8 本论文研究主要目的及内容 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 载体活性炭、低汞催化剂制备所用试剂、仪器设备和方法 |
| 2.1.1 实验原料及所用设备 |
| 2.1.2 活性炭载体及低汞催化剂制备方法 |
| 2.2 催化剂活性评价及反应产物组分分析 |
| 2.2.1 催化剂活性评价 |
| 2.2.2 反应产物组分分析 |
| 2.3 活性炭载体及催化剂表征技术 |
| 2.4 活性炭性载体性能测定 |
| 2.4.1 亚甲基蓝吸附量测定 |
| 2.4.2 碘吸附量测定 |
| 2.4.3 四氯化碳吸附率测定 |
| 2.4.4 活性炭强度测定 |
| 2.4.5 活性炭活化收率测定 |
| 2.5 电子级氯化氢产品的分析 |
| 2.5.1 产品DID色谱分析方法 |
| 2.5.2 水分杂质分析方法 |
| 2.5.3 产品杂质稳定性分析 |
| 第三章 低汞负载量载体设计及制备 |
| 3.1 配煤比例的影响 |
| 3.1.1 原煤的分析 |
| 3.1.2 活性炭载体的制备 |
| 3.1.3 N_2吸脱附表征结果及分析 |
| 3.1.4 SEM表征结果及分析 |
| 3.1.5 亚甲基蓝吸附结果及分析 |
| 3.1.6 碘吸附值、四氯化碳吸附率结果及分析 |
| 3.1.7 活性炭强度测定结果及分析 |
| 3.2 炭化温度的影响 |
| 3.2.1 活性炭载体的制备 |
| 3.2.2 N_2吸脱附表征结果及分析 |
| 3.2.3 SEM表征结果及分析 |
| 3.2.4 亚甲基蓝吸附结果及分析 |
| 3.2.5 碘吸附值、四氯化碳吸附率结果及分析 |
| 3.2.6 活性炭强度测定结果及分析 |
| 3.3 KOH比例的影响 |
| 3.3.1 活性炭的制备 |
| 3.3.2 XRD表征结果及分析 |
| 3.3.3 N_2吸脱附表征结果及分析 |
| 3.3.4 SEM表征结果及分析 |
| 3.3.5 亚甲基蓝、碘吸附值、四氯化碳吸附率结果及分析 |
| 3.3.6 活性炭强度测定结果及分析 |
| 3.4 活化温度的影响 |
| 3.4.1 活性炭的制备 |
| 3.4.2 N_2吸脱附表征结果及分析 |
| 3.4.3 亚甲基蓝、碘吸附值、四氯化碳吸附率结果及分析 |
| 3.4.4 活性炭收率及强度测定结果及分析 |
| 3.5 活化时间的影响 |
| 3.5.1 活性炭的制备 |
| 3.5.2 N_2吸脱附表征结果及分析 |
| 3.5.3 亚甲基蓝、碘吸附值、四氯化碳吸附率结果及分析 |
| 3.5.4 活性炭收率及强度测定结果及分析 |
| 3.6 辅助活化剂Fe_3O_4的影响 |
| 3.6.1 活性炭的制备 |
| 3.6.2 XRD表征结果及分析 |
| 3.6.3 N_2吸脱附表征结果及分 |
| 3.6.4 SEM表征结果及分析 |
| 3.6.5 亚甲基蓝、碘吸附值、四氯化碳吸附率结果及分析 |
| 3.6.6 活性炭强度测定结果及分析 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 低汞催化剂的制备、表征及活性评价 |
| 4.1 活性炭载体的影响 |
| 4.1.1 活性炭载体的选择 |
| 4.1.2 低汞催化剂的制备 |
| 4.1.3 N_2吸脱附表征结果及分析 |
| 4.1.4 XRD表征结果及分析 |
| 4.1.5 SEM表征结果及分析 |
| 4.1.6 TG表征结果及分析 |
| 4.1.7 催化剂活性评价结果及分析 |
| 4.1.8 催化剂寿命评价结果及分析 |
| 4.2 添加辅助剂KCl的影响 |
| 4.2.1 含添加剂低汞催化剂的制备 |
| 4.2.2 N_2吸脱附表征结果及分析 |
| 4.2.3 XRD表征结果及分析 |
| 4.2.4 SEM表征结果及分析 |
| 4.2.5 TG表征结果及分析 |
| 4.2.6 催化剂活性评价结果及分析 |
| 4.2.7 催化剂寿命评价结果及分析 |
| 4.3 分步浸渍氯化汞的影响 |
| 4.3.1 催化剂的制备 |
| 4.3.2 N_2吸脱附表征结果及分析 |
| 4.3.3 XRD表征结果及分析 |
| 4.3.4 SEM表征结果及分析 |
| 4.3.5 TG表征结果及分析 |
| 4.3.6 催化剂活性评价结果及分析 |
| 4.3.7 催化剂寿命评价结果及分析 |
| 4.4 催化剂反应条件的研究 |
| 4.4.1 反应温度的影响 |
| 4.4.2 反应空速的影响 |
| 4.4.3 反应压力的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 失活催化剂的原位及体外补汞再生 |
| 5.1 部分失活催化剂的物理表征 |
| 5.1.1 EDS表征结果及分析 |
| 5.1.2 N_2吸脱附表征结果及分析 |
| 5.1.3 SEM表征结果及分析 |
| 5.1.4 TG表征结果及分析 |
| 5.1.5 FT-IR表征结果及分析 |
| 5.2 部分失活催化剂的原位再生、表征及活性评价 |
| 5.2.1 催化剂的原位再生及傅里叶红外谱图 |
| 5.2.2 再生催化剂EDS表征结果及分析 |
| 5.2.3 N_2吸脱附表征结果及分析 |
| 5.2.4 TG表征结果及分析 |
| 5.2.5 再生后催化剂活性、寿命评价结果及分析 |
| 5.3 部分失活催化剂再生条件的研究 |
| 5.3.1 再生温度的影响 |
| 5.3.2 氯化氢空速的影响 |
| 5.3.3 再生时间的影响 |
| 5.4 完全失活催化剂的物理表征 |
| 5.4.1 EDS表征结果及分析 |
| 5.4.2 N_2吸脱附表征结果及分析 |
| 5.4.3 TG表征结果及分析 |
| 5.5 完全失活催化剂的体外再生、表征及活性评价 |
| 5.5.1 氯化氢再生后EDS表征 |
| 5.5.2 氯化氢再生后N_2吸脱附表征结果及分析 |
| 5.5.3 TG表征结果及分析 |
| 5.5.4 体外补汞后催化剂活性及寿命评价 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 低汞催化剂工业制备及反应-精馏工业化集成 |
| 6.1 高中孔率活性炭的工业化制备 |
| 6.1.1 配煤及磨粉工序 |
| 6.1.2 煤粉混捏、成型工序 |
| 6.1.3 炭化工序 |
| 6.1.4 活化工序 |
| 6.2 低汞催化剂的工业化制备 |
| 6.3 精馏系统的理论模拟 |
| 6.3.1 物性方法的选择 |
| 6.3.2 氯化氢原料组成分析 |
| 6.3.3 工艺流程模拟 |
| 6.3.4 精馏设计产能及杂质指标 |
| 6.4 脱轻精馏系统设计 |
| 6.4.1 理论塔板数的影响 |
| 6.4.2 进料板位置的影响 |
| 6.4.3 进料原料温度的影响 |
| 6.4.4 回流-进料比的影响 |
| 6.4.5 脱轻精馏系统的参数优化 |
| 6.5 脱重精馏系统设计 |
| 6.5.1 理论塔板数的影响 |
| 6.5.2 进料板位置的影响 |
| 6.5.3 回流比的影响 |
| 6.6 尾废气工业化制备微纳电子用氯化氢 |
| 6.6.1 工业化流程及设备控制 |
| 6.6.2 反应工艺开车准备 |
| 6.6.3 精馏系统操作 |
| 6.7 氯化氢产品质量分析 |
| 6.7.1 产品杂质组分稳定性分析 |
| 6.7.2 化学组分杂质使用模拟分析 |
| 6.7.3 电子级氯化氢销售市场 |
| 6.8 本章小结 |
| 第七章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 研究成果及发表的学术论文 |
| 作者和导师简介 |
| 附件 |
（5）金红石型TiO2（110）表面吸附TiCl4和O2机理的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 TiO_2主要生产工艺概况 |
| 1.1.1 液相法生产TiO_2 |
| 1.1.2 硫酸法生产TiO_2 |
| 1.1.3 氯化法生产TiO_2 |
| 1.2 氯化法生产TiO_2工艺关键技术研究概况 |
| 1.2.1 物料的强化混合 |
| 1.2.2 反应器壁结疤 |
| 1.2.3 产品形态控制 |
| 1.3 TiCl_4氧化表观动力学研究概况 |
| 1.3.1 反应温度 |
| 1.3.2 反应物浓度 |
| 1.3.3 反应停留时间 |
| 1.3.4 反应物混合 |
| 1.4 TiCl_4氧化微观反应机理研究概况 |
| 1.4.1 TiO_2晶核的形成 |
| 1.4.2 AlCl3作用机制 |
| 1.4.3 TiO_2晶核生长 |
| 1.4.4 TiO_2烧结与团聚 |
| 1.5 课题研究的意义和内容 |
| 1.5.1 课题研究的意义 |
| 1.5.2 课题研究的内容 |
| 第二章 计算方法与模型构建的理论基础 |
| 2.1 薛定谔方程 |
| 2.2 密度泛函理论 |
| 2.3 交换关联泛函 |
| 2.3.1 局域密度近似(LDA) |
| 2.3.2 广义梯度近似(GGA) |
| 2.4 截断能和k点 |
| 2.5 赝势 |
| 2.6 能带和态密度 |
| 2.7 过渡态搜寻的计算方法 |
| 第三章 计算方法与模型构建 |
| 3.1 TiO_2的电子结构 |
| 3.2 计算方法 |
| 3.3 模型构建 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 金红石型TiO_2(110)表面吸附TiCl_4的研究 |
| 4.1 TiCl_4吸附微观模型 |
| 4.2 TiCl_4分子吸附能 |
| 4.3 电荷分布与差分电子密度 |
| 4.4 TiO_2(110)表面电子态密度 |
| 4.5 TiCl_4分子的微观分析、Mulliken电荷布居 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 金红石型TiO_2(110)表面TiCl_4和O_2的吸附机理 |
| 5.1 TiCl_4(n=1~4)的基态结构 |
| 5.2 O_2分子在TiO_2(110)晶胞表面的吸附 |
| 5.3 TiCl_4分子在TiO_2(110)晶胞表面的吸附 |
| 5.4 TiCl_4、O_2分子在TiO_2(110)晶胞表面的共吸附作用 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（6）多晶硅CVD反应器的计算传递学（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 多晶硅的概述及应用 |
| 1.2 国内外多晶硅产业的发展 |
| 1.3 多晶硅制备技术 |
| 1.3.1 改良西门子法 |
| 1.3.2 硅烷法 |
| 1.3.3 冶金法 |
| 1.3.4 流化床法 |
| 1.3.5 汽-液沉积法 |
| 1.3.6 铝热还原法 |
| 1.3.7 区域熔化提纯法 |
| 1.3.8 常压碘化学气相传输净化法 |
| 1.3.9 无氯技术 |
| 1.4 多晶硅 CVD 反应器的研究发展 |
| 1.5 计算传递学的研究发展 |
| 1.5.1 计算流体力学的研究进展 |
| 1.5.2 计算传热学的研究进展 |
| 1.5.3 计算传质学的研究进展 |
| 1.6 辐射传热计算模型 |
| 1.7 本课题研究的意义 |
| 第二章 多晶硅 CVD 反应器 |
| 2.1 多晶硅棒的排布方式 |
| 2.2 反应器的进出气方式 |
| 2.3 反应器的底盘结构 |
| 2.4 小结 |
| 第三章 多晶硅 CVD 反应器内辐射能耗的数值模拟 |
| 3.1 数学模型 |
| 3.1.1 物理模型 |
| 3.1.2 控制方程 |
| 3.1.3 物性参数及边界条件 |
| 3.1.4 网格划分及数值计算方法 |
| 3.2 模拟结果与讨论 |
| 3.2.1 网格独立性分析 |
| 3.2.2 六边形结构的模拟结果及讨论 |
| 3.2.3 圆周结构的模拟结果及讨论 |
| 3.2.4 圆周排布结构与六边形排布结构的比较 |
| 3.2.5 小结 |
| 第四章 新型多晶硅 CVD 反应器的数值模拟 |
| 4.1 数学模型 |
| 4.1.1 物理模型 |
| 4.1.2 控制方程 |
| 4.1.3 边界条件 |
| 4.1.4 网格划分及数值求解方法 |
| 4.2 结果与讨论 |
| 4.2.1 模型的验证 |
| 4.2.2 流场比较与分析 |
| 4.2.3 温度场比较与分析 |
| 4.2.4 浓度分布比较与分析 |
| 4.2.5 能耗比较与分析 |
| 4.3 小结 |
| 第五章 新型多晶硅 CVD 反应器底盘结构的数值模拟 |
| 5.1 数学模型 |
| 5.1.1 物理模型 |
| 5.1.2 控制方程 |
| 5.1.3 近壁面区域计算方法 |
| 5.1.4 边界条件 |
| 5.1.5 网格划分及数值求算方法 |
| 5.2 结果与讨论 |
| 5.2.1 电极套筒大小的影响 |
| 5.2.2 电极套筒与下底板间距大小的影响 |
| 5.2.3 电极套筒与上底板间距大小的影响 |
| 5.2.4 中间隔板与底盘下底板间距的影响 |
| 5.3 小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 符号说明 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
（7）多晶硅制备技术及其研究进展（论文提纲范文）
| 1 国内外多晶硅技术的发展现状与趋势 |
| 2 多晶硅的制备工艺 |
| 3 多晶硅CVD |
| 3.1 多晶硅CVD的基本原理 |
| 3.2 多晶硅CVD的反应机理 |
| 3.2.1 多晶硅CVD的反应机理研究方法 |
| (1) 分子轨道从头计算方法 |
| (2) 平衡状态法 |
| 3.2.2 反应机理研究 |
| 3.3 多晶硅CVD的研究进展 |
| 4 流态化多晶硅CVD |
| 4.1 流态化多晶硅CVD的基本原理 |
| 4.2 流态化多晶硅CVD的研究进展 |
| 5 结语 |
（8）硅和四氯化硅耦合加氢反应制备三氯氢硅的工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 立题背景 |
| 1.1.1 太阳能概述 |
| 1.1.2 国内外太阳能利用情况 |
| 1.1.3 太阳能电池发展现状 |
| 1.2 多晶硅的生产状况及主要工艺 |
| 1.2.1 多晶硅的重要性及国内外生产厂家 |
| 1.2.2 多晶硅生产现状 |
| 1.2.3 多晶硅生产技术现状 |
| 1.2.4 太阳能级多晶硅制备新工艺发展 |
| 1.3 四氯化硅的处理 |
| 1.3.1 生产二氧化硅 |
| 1.3.2 SiCl_4 氢化法制备SiHCl_3 |
| 1.4 本论文的研究目的和主要研究内容 |
| 第二章 硅和四氯化硅耦合加氢反应体系热力学分析 |
| 2.1 复杂化学平衡体系研究概况 |
| 2.2 计算方法的新发展 |
| 2.3 计算方法及计算程序 |
| 2.4 热力学计算结果及讨论 |
| 2.4.1 硅和四氯化硅耦合加氢反应气相平衡成分图 |
| 2.4.2 反应体系的△_rH_m~θ-T图、△_rG_m~θ-T图和K_p~θ-T图 |
| 2.4.3 温度对硅和四氯化硅耦合加氢反应的影响 |
| 2.4.4 压力对硅和四氯化硅耦合加氢反应的影响 |
| 2.4.5 H_2/SiCl_4进料比对硅和四氯化硅耦合加氢反应的影响 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 硅和四氯化硅耦合加氢反应最优化操作条件 |
| 3.1 研究目的和研究内容 |
| 3.1.1 研究目的 |
| 3.1.2 研究内容 |
| 3.2 实验方法 |
| 3.2.1 实验装置图 |
| 3.2.2 实验药品 |
| 3.2.3 实验仪器及设备 |
| 3.2.4 反应产物的分析方法 |
| 3.3 实验结果 |
| 3.3.1 温度对硅和四氯化硅耦合加氢反应的影响 |
| 3.3.2 压力对硅和四氯化硅耦合加氢反应的影响 |
| 3.3.3 H_2/SiCl_4 对硅和四氯化硅耦合加氢反应的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 金属催化剂对硅和四氯化硅耦合加氢反应的影响 |
| 4.1 实验目的 |
| 4.2 所用实验药品及实验设备 |
| 4.3 金属催化剂的制备 |
| 4.4 分析方法 |
| 4.5 实验结果与讨论 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间发表或录用的论文 |
| 致谢 |
（9）P型硅外延片工艺技术的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| §1-1 论文的选题背景 |
| §1-2 研究内容和意义 |
| 1-2-1 硅外延发展现状和趋势 |
| 1-2-2 课题研究内容 |
| 第二章 硅外延生长技术 |
| §2-1 硅外延生长的基本概念 |
| 2-1-1 外延的分类 |
| 2-1-2 外延生长方法及应用 |
| §2-2 硅外延生长技术的优越性 |
| 2-2-1 适用于外延的结构工艺 |
| 2-2-2 硅外延在 IC 发展技术中的作用 |
| §2-3 硅外延的原理 |
| 2-3-1 硅外延的步骤 |
| 2-3-2 影响硅外延生长的因素 |
| 2-3-3 硅外延生长的化学反应 |
| 第三章 硅外延反应设备 |
| §3-1 硅外延的设备类型 |
| §3-2 课题研究所用的硅外延系统 |
| §3-3 新型的外延设备TFW |
| 第四章 外延层质量的检测 |
| §4-1 外延层厚度的测量 |
| §4-2 外延层电阻率的测量 |
| 4-2-1 汞探针电容-电压法 |
| 4-2-2 二次谐波测试法 |
| §4-3 外延层杂质分布的测量-扩展电阻测量法 |
| §4-4 外延片夹层的测试 |
| 4-4-1 夹层 |
| 4-4-2 夹层的检测 |
| §4-5 外延片缺陷的检测 |
| 4-5-1 外延层缺陷的分类 |
| 4-5-2 内部缺陷的产生及消除办法 |
| 4-5-3 微缺陷 |
| 4-5-4 外延层缺陷检验方法 |
| 第五章 P 型硅外延片工艺技术的研究 |
| §5-1 P 硅外延片的厚度一致性问题 |
| 5-1-1 P/P+硅外延片的厚度一致性存在的问题 |
| 5-1-2 外延生长速率与其影响因素之间的关系 |
| 5-1-3 实验及结果 |
| §5-2 P 型硅外延片电阻率一致性存在的问题 |
| 5-2-1 外延生长中的自掺杂和固态扩散（外扩散） |
| 5-2-2 减少自掺杂的方法 |
| 5-2-3 两步生长法 |
| 5-2-4 实验及结果 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 |
（10）MOCVD设备工艺优化理论与低温InP/Si晶片键合机理的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 符号说明 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究的背景和意义 |
| 1.1.1 MOCVD反应器质量输运过程研究的背景和意义 |
| 1.1.2 晶片键合研究的背景和意义 |
| 1.2 论文的结构安排 |
| 参考文献 |
| 第二章 MOCVD设备工艺流程与外延材料性能测试 |
| 2.1 MOCVD外延生长技术概述 |
| 2.2 MOCVD反应器中的材料外延机制 |
| 2.2.1 MOCVD反应器内材料生长过程 |
| 2.2.2 MOCVD化学反应动力学 |
| 2.2.3 衬底材料生长的表面反应 |
| 2.2.4 质量输运控制下的材料生长速率 |
| 2.3 TSSEL 3X2"CCS InP型MOCVD系统 |
| 2.3.1 MO源输送系统(Gas Delivery System) |
| 2.3.2 MOCVD反应器与加热系统 |
| 2.3.3 反应器低压控制系统 |
| 2.3.4 MOCVD反应器尾气处理系统 |
| 2.3.5 MOCVD设备的安全与控制单元 |
| 2.4 异质外延晶体质量的表征技术 |
| 2.4.1 X射线衍射技术 |
| 2.4.2 透射电子显微镜术(TEM) |
| 2.4.3 光致发光技术(PL) |
| 2.4.4 扫描电子显微镜技术(SEM) |
| 2.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 MOCVD反应器热流场的稳态与瞬态数值研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 MOCVD反应器的数学物理模型及计算条件 |
| 3.2.1 垂直式反应器的优点 |
| 3.2.2 数学物理模型 |
| 3.2.3 数值计算方法与计算条件 |
| 3.3 MOCVD反应器稳态热流场的计算与分析 |
| 3.3.1 进气流量对反应器热流场分布的影响 |
| 3.3.2 操作压力对热流场分布的影响 |
| 3.3.3 基座温度对热流场分布的影响 |
| 3.3.4 侧壁温度对热流场分布的影响 |
| 3.3.5 重力效应对反应器热流场分布的影响 |
| 3.3.6 基座旋转对反应器热流场分布的影响 |
| 3.3.7 反应器高度对热流场分布的影响 |
| 3.3.8 MOCVD反应器稳态热流场的工艺优化计算 |
| 3.4 MOCVD反应器中瞬态热流场的计算与分析 |
| 3.5 本章结论 |
| 参考文献 |
| 第四章 晶片键合技术综述 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 晶片键合技术的基本原理与工艺过程 |
| 4.2.1 晶片的表面处理 |
| 4.2.2 晶片预键合 |
| 4.2.3 晶片对热处理 |
| 4.3 晶片键合技术的主要实现方法 |
| 4.3.1 晶片直接键合技术 |
| 4.3.2 阳极键合技术 |
| 4.3.3 中间层键合技术 |
| 4.4 晶片键合技术的主要应用 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 InP/Si晶片键合实验与键合机理的研究 |
| 5.1 InP/Si材料晶片键合实验步骤 |
| 5.2 键合晶片性能测试 |
| 5.2.1 界面形貌 |
| 5.2.2 Ⅰ-Ⅴ特性测试 |
| 5.2.3 X射线衍射(XRD)谱测试 |
| 5.2.4 光致发光(PL)谱测试 |
| 5.2.5 二次离子质谱(SIMS) |
| 5.2.6 X射线光电子能谱(XPS) |
| 5.2.7 拉曼光谱(Raman spectroscopy) |
| 5.3 硼化物辅助低温InP/Si晶片键合机理的研究 |
| 5.3.1 InP、Si晶片表面清洗的原理 |
| 5.3.1.1 Si晶片表面清洗处理 |
| 5.3.1.2 InP晶片表面清洗处理 |
| 5.3.1.3 InP、Si晶片预键合与退火 |
| 5.3.2 低温InP/Si键合机理分析与讨论 |
| 5.3.2.1 硼化物NaBH_4/H_3BO_3/H_2O处理液中 |
| 5.3.2.2 InP晶片与溶液界面 |
| 5.3.2.3 SiO_2/Si衬底与溶液界面 |
| 5.3.2.4 两晶片的中间层 |
| 5.4 InP/Si晶片大面积键合的研究 |
| 5.5 键合手套箱的设计方案 |
| 5.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 总结 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 |
四、硅外延反应器中氢与石墨热化学反应的研究（论文参考文献）
- [1]基于外延工艺改善的快恢复二极管的良率提升研究[D]. 马秀梅. 浙江大学, 2019
- [2]基于NICA的多晶硅还原炉能耗与质量优化[D]. 朱晨曦. 广东工业大学, 2019(02)
- [3]Si单晶上原位生长Graphene/SiC/Si及其结构控制[D]. 胡志颖. 武汉理工大学, 2019(07)
- [4]化工尾废气制备电子气体低汞催化剂研究及系统工业应用[D]. 江罗. 北京化工大学, 2018(06)
- [5]金红石型TiO2（110）表面吸附TiCl4和O2机理的研究[D]. 黄俊. 昆明理工大学, 2018(01)
- [6]多晶硅CVD反应器的计算传递学[D]. 黄哲庆. 天津大学, 2013(12)
- [7]多晶硅制备技术及其研究进展[J]. 张攀,陈光辉,李建隆,姜晖琼. 材料导报, 2012(21)
- [8]硅和四氯化硅耦合加氢反应制备三氯氢硅的工艺研究[D]. 康启宇. 上海交通大学, 2012(07)
- [9]P型硅外延片工艺技术的研究[D]. 安静. 河北工业大学, 2011(05)
- [10]MOCVD设备工艺优化理论与低温InP/Si晶片键合机理的研究[D]. 钟树泉. 北京邮电大学, 2010(02)