一、六角形氧化锌超晶格粒子的控制制备(英文)（论文文献综述）
许嘉璐,宁存政,熊启华[1]（2021）在《纳米激光概述》文中进行了进一步梳理自从第一个激光器诞生以来,激光对科学研究和技术应用都有革命性的影响。激光本身作为一门科学和技术兼具的学科,也一直是一个快速发展和极其活跃的研究前沿,激光器的线性尺寸从极小到极大跨越达10个数量级。主要介绍近十几年来激光向极小尺寸（即纳米激光）发展的一些基本情况,包括纳米激光发展的基本历史脉络和背景、各种不同的种类和特点、应用场景、目前发展状况、面临问题、未来趋势。不同种类的纳米激光器的主要区别在于激光腔和增益材料的不同,涉及的纳米腔结构包含纳米线状腔、回音壁式腔、Fabry-Pérot腔及金属等离子激元腔等;涉及的增益介质包括普通的化合物半导体和新兴钙钛矿、过渡金属硫族化合物等。
郑艳鹏[2]（2021）在《二维GaN基材料表面修饰及GaN纳米片制备研究》文中提出二维GaN具有较宽的带隙、优异的光电特性和良好的热力学稳定性,在光电子器件、自旋半导体器件、气体传感器件以及高功率器件等方面具备广阔的应用前景。目前,二维GaN是二维材料研究领域的一个热点。本文基于第一性原理分别研究了 g-GaN/C60异质结和CO、H2S和NO三种有毒气体分子吸附碱金属掺杂g-GaN的电子和光学特性;研究了用化学气相沉积法制备GaN纳米片。本文的研究内容主要如下:第一,g-GaN/C60异质结属于Type-II型异质结构,导带底由C60分子中C的2p轨道贡献而价带顶由单层g-GaN中N的2p轨道和Ga的3d轨道贡献,内建电场达6.11 eV,有效分离电子和空穴,延长载流子寿命:当施加0.2和0.4 V/A的垂直电场时,Type-II型异质结特点依然被保留下来,并且随着电场强度的增加,电荷转移量也随之增加,提高载流子的分离效率。吸收光谱研究结果表明g-GaN/C60异质结在紫外和可见光波段均出现明显的吸收峰,使得这种材料在光电子器件领域比如太阳能电池方面具有广阔的应用前景。第二,基于第一性原理分别对CO、H2S和NO三种有毒气体分子吸附本征单层g-GaN、碱金属（Li、Na、K、Rb和Cs）掺杂单层g-GaN,以及CO、H2S和NO三种有毒气体分子吸附碱金属掺杂单层g-GaN体系进行了研究。NO吸附本征单层g-GaN体系产生磁性,而CO和H2S吸附本征单层g-GaN并未出现磁性,掺杂碱金属后三种吸附体系均产生磁性;掺杂碱金属后引起轨道杂化,在禁带中出现杂化轨道,这种杂化轨道的出现有利于价带电子的跃迁,提高吸附体系的电导率;吸附体系的电荷转移发生在气体分子、Ga原子、N原子以及掺杂原子之间,表明碱金属掺杂可以明显改善二维GaN基材料的吸附特性,从而推动二维GaN基材料在气体传感器方面的应用。第三,用化学气相沉积（CVD）法,以金属镓为镓源,以NH3为氮源,用双层钨片做衬底,下层钨片涂覆金属镓,上层钨片放置于下层钨片正上方,通过控制反应时间,NH3流量和反应温度,研究了可控生长均匀致密、厚度较薄的GaN纳米片。在NH3流量为100sccm,温度区间为750-800℃时可控制备了具有良好结晶度的六方纤锌矿结构GaN纳米片,其厚度小于100nm,横向尺寸1-2μm。研究结果对推进二维GaN的应用有重要意义。
张万成[3]（2021）在《不同形状金属纳米结构的合成及其生长机理研究》文中研究表明
陈燕[4]（2021）在《基于氧化锌/氧化铜甲醛传感器的设计及性能研究》文中进行了进一步梳理
孙勇[5]（2021）在《3d过渡金属稀磁半导体的磁性调控机制研究》文中指出稀磁半导体结合了磁学与半导体的特性,是一种能同时操控电荷与自旋自由度的新型自旋电子学基础材料。该领域研究的核心是实现材料的室温铁磁性。纯HfO2薄膜中弱铁磁性的发现给3d过渡金属稀磁半导体氧化物的研究带来了新的契机。ZnO作为3d过渡金属稀磁半导体的典型代表,研究其纳米材料的制备、铁磁性起源与调控具有重要的理论意义与应用前景。本文以d0类ZnO、dx类Co2+掺杂ZnO和fx类Ce3+掺杂ZnO稀磁半导体的磁性起源与调控机制为出发点,研究了dx类块体反铁磁NiO与fx类块体反铁磁CeO2纳米材料的室温铁磁性调控机制。并在稀磁半导体氧化物的基础上,研究了阴离子缺陷对纳米级铁氧体、类金属磷化物与氮化物的磁性影响,为稀磁半导体在自旋电子学方面的进一步应用加强了基础。本论文研究主要集中在以下方面:（1）d0类ZnO基稀磁半导体的合成与铁磁性研究。通过热解法合成了尺寸可控的单分散ZnO纳米颗粒、形貌无差异的Co-ZnO纳米颗粒与微纳结构无差异的Ce-ZnO多孔纳米片。对于单分散ZnO纳米颗粒,实验结果表明,相比于反铁磁特性的块体ZnO,样品表现出与氧缺陷浓度正相关的室温铁磁性,磁性从2.3 memu/g增强到12.8memu/g。针对ZnO磁性弱的缺点,我们对ZnO进行了磁性离子dx类Co2+与fx类Ce3+掺杂。相比于未掺杂ZnO,Co-ZnO纳米颗粒与Ce-ZnO多孔纳米片的饱和磁化强度分别提高至32.9 memu/g与27.1 memu/g,磁性离子有效地增强了样品的磁性,且磁性与表面氧缺陷浓度变化规律相一致。第一性原理计算显示,体系的磁性来源于氧缺陷诱导的O 2p轨道以及dx或fx类磁性元素的3d或4f轨道。结合实验与计算结果,我们建立了d0类ZnO基稀磁半导体“微纳结构-掺杂浓度/表面氧缺陷-磁性”的调控机制,对探索与理解3d过渡金属稀磁半导体的磁性起源与调控具有重要意义。（2）dx类NiO纳米团簇和fx类CeO2纳米材料的合成与铁磁性研究。通过溶剂热法和静电纺丝技术分别制备了由微小纳米晶自组装的dx类NiO纳米团簇和fx类CeO2纳米材料,研究了其铁磁性调控机制。实验结果表明,NiO纳米团簇经过空气退火,氧缺陷减小,其饱和磁化强度从144 memu/g减小到3 memu/g;CeO2纳米材料经过H2/Ar退火,氧缺陷增加,其饱和磁化强度从26.5 memu/g增加到45.8 memu/g,这说明氧缺陷对于dx类与fx类块体反铁磁稀磁半导体的室温铁磁性具有重要的增强作用。理论计算表明,氧缺陷的存在诱导了长程有序的“磁性离子-氧缺陷-磁性离子”亚铁磁耦合(Ni2+-Ov-Ni2+)或铁磁性耦合(Ce+4-σ-OV-Ce+4-σ),体系的磁矩主要来自因氧缺陷诱导的局域自旋O 2p轨道与磁性离子的磁性3d或4f轨道。因此氧缺陷对dx类与fx类块体反铁磁稀磁半导体铁磁性的调控具有重要意义。（3）在研究了氧缺陷对稀磁半导体氧化物的磁性调控机制上,我们进一步研究了氧缺陷对非化学计量比ZnxFe3-xO4纳米颗粒的磁学影响。采用热解法制备了尺寸可调的单分散非化学计量比ZnxFe3-xO4纳米颗粒。非化学计量比ZnxFe3-xO4纳米颗粒中Zn/Fe原子比与氧缺陷浓度均随着颗粒尺寸的增大而降低,导致其从超顺磁性转变为铁磁性。磁性圆二色谱表明,随着Zn/Fe原子比增加,Fe3+的自旋磁矩减小,轨道磁矩冻结,饱和磁化强度降低。经过空气退火,所有样品的饱和磁化强度降低,表明氧缺陷对其磁性有很大的影响。空气退火会降低氧缺陷浓度,部分Fe3+-OV-Fe3+铁磁耦合转变为Fe3+-OL-Fe3+反铁磁耦合。该工作通过调控化学计量比和氧缺陷浓度实现了对ZnxFe3-xO4磁性的调节,为理解和调控铁氧体的磁学性质提供了新的思路。（4）探究阴离子缺陷对3d过渡金属磷化物与氮化物的磁性影响。通过热解法和水热-氮化法分别制备了NiCoP纳米颗粒与CoN纳米棒。通过减少初始磷源量,增加NiCoP纳米颗粒中的磷缺陷,导致样品磁性显着增强,从2.9 memu增加到14.1memu/g。同时,NiCoP纳米颗粒与CoN纳米棒在H2/Ar氛围中退火分别了增加其表面磷缺陷和氮缺陷,诱导NiCoP纳米颗粒磁性从14.1 memu/g增加到22.7 memu/g,CoN纳米棒磁性从22.2 memu/g增加到30.4 memu/g。通过对磁化曲线的拟合,发现是阴离子缺陷的增加导致了样品中磁性粒子浓度增加,进而导致磁性提高。这主要是阴离子缺陷的增加导致邻近阴离子缺陷的磁性离子数目及其磁矩倾斜程度增加,诱导了更多的“磁性离子-阴离子缺陷-磁性离子”亚铁磁耦合,从而增强样品的磁性。这种阴离子缺陷对金属氧化物、磷化物、氮化物、碳化物和硫化物的磁性调控上具有重要意义。
王宏[6]（2021）在《基于二维层状材料新型忆阻器的光电特性与行为机制研究》文中研究说明忆阻器（Memristor）作为第四种电路基本元件,具有结构简单、读写速度快、能耗低、存储密度高等优势,有望突破摩尔定律的极限。模拟式的类脑神经计算和数字式的状态逻辑运算是忆阻器实现信息存储与计算融合的两种方式。尽管忆阻器的研究呈爆炸式增长,但在目前仍处于初级阶段,忆阻材料、阻变机制、模拟可调性、节能、可靠性、异质集成和多功能实现等方面仍存在许多未解决的问题。因此,开发新的忆阻材料,多途径探究阻变机制,明确参数演变规律,并以此为基础进行功能（如:突触、数字识别和逻辑功能等）拓展,是当下急需开展的研究工作。二维层状材料因其独特可调的电子结构及丰富的物理、化学性质,在能源转化与存储、电子器件等领域具有广阔的应用前景。本文以Sn Se等二维层状材料为研究对象,从制备工艺、物理机制、性能特征和光电调控功能实现等方面,探索了其在忆阻器领域的新应用。论文主要研究内容如下:一、利用脉冲激光沉积技术制备了高质量的Sn Se薄膜,并借助掩膜技术构建了Au/Sn Se/NSTO（7%Nb:Sr Ti O3）结构的原型忆阻器件。实验结果显示,所制备的Sn Se薄膜具有铁电性,由于其铁电极化对器件结区耗尽层宽度和势垒高度的调制作用,使得该忆阻器可实现电导精确可调和二阶忆阻行为。将具有纳秒脉宽的刺激脉冲施加于该器件,成功模拟了尖峰时序依赖可塑性（STDP）和双脉冲易化（PPF）两种神经突触行为,其能耗仅为66 f J。此外,该器件还可以实现手写体数字识别功能,其精确度可达82.51%。二、在上述工作基础上,制备了Pd/Sn1-xSe/NSTO和Ag/Sn1-xSe/NSTO结构的忆阻器。该Pd/Sn1-xSe/NSTO忆阻器的整体性能表现优于一般器件,特别是稳定性、单元之间的差异性、耐久性,开关功率可达约4.1μW和61μW。利用第一性原理计算预测了钯（Pd）导电细丝在Sn1-xSe薄膜中形成和断裂的可能性,并结合高分辨透射电子显微镜和X射线能谱分析仪,直接在Sn1-xSe层中观察到形成的Pd细丝。金属钯比银具有更高的热动力学稳定性和更低的迁移率,因此基于Pd导电细丝机制的器件性能更加稳定。该器件除了能实现突触功能外,还可以实现简单计数和加法的运算功能。三、制备了双端Au/Sn Se/graphene/Si O2/Si和Ti/Bi OI/FTO（Sn O2:F）忆阻器件。多层二维石墨烯电极材料的引入,使Sn Se基忆阻器的开关功率达16.7 n W和2.3 n W。通过透射电镜及XPS深度分析,对比处于高阻态和低阻态下器件的元素分布,证实了上述两种结构忆阻器的阻变机制均源于锡空位和氧空位导电细丝形成和断裂。基于空位细丝机制的忆阻器件能模拟突触的长时增强（LTP）和短期抑制（LTD）,还能完成STDP和PPF的记忆,与学习规则。四、利用PLD技术制备了大面积多层二维Bi2Te2.7Se0.3薄膜并构建了Pd/Bi2Te2.7Se0.3/Si O2/Si结构的多功能光电耦合忆阻器件。研究了0 m W、5 m W、50 m W和100 m W四种强度的405 nm波长紫光信号和电信号对该器件内部电导的调节。该器件不但能实现“或”门功能,由于光电子再俘获而具有的非挥发性,还能实现信息长期存储;与此同时,该光电耦合器件的电阻对光强有一定的依赖性,致使其可实现多级存储和光信息解调功能。总之,该单个忆阻器件就可以同时实现解调、运算和存储功能。
韩伟韬[7]（2021）在《Al与TiO2/ZnO薄膜界面行为对阻变机理影响的研究》文中研究表明随着电子器件逐渐开始流行“智能化”,“小型化”,为了不断适应大数据时代发展的需要,市场对信息存储技术提出了更高的要求。目前,在传统的非易失存储器中,由于闪存在小型化过程中已接近其所能承受的物理极限,因此,研究人员迫切需要寻求更加优异的存储技术来满足时代对存储器的需求。阻变存储器以其高存储密度、低功耗、结构简单、快速读写等优点备受关注。此外,阻变存储器中阻变材料的多元化以及采用简单的“MIM型”架构,使得阻变器件有望成为新一代非易失性存储器的有力候选者。故此,寻求性能优异的阻变材料、研究阻变存储器中电子传输方式以及影响阻变存储器性能的因素成为迫切需要解决的问题。本文主要采用简单的二元氧化物作为阻变层制备阻变存储器,研究器件中所存在的阻变机制以及对器件在运行过程中的离散型参数进行优化。首先采用溶胶凝胶旋涂法制备Al/TiO2/FTO阻变存储器,研究该阻变器件在运行过程中的电子传导方式,着重分析研究Al电极和TiO2薄膜之间的界面效应对阻变参数的影响。其次通过在前驱体溶液中添加Cu离子,改变薄膜的生长环境进而对器件薄膜内部的缺陷进行调整,然后分析Al/TiO2:Cu/FTO阻变器件的阻变特性及其内在机理。电学性能结果表明,掺杂Cu离子的薄膜会产生更多的缺陷态,且器件在开关性能和稳定性能都表现良好。值得注意的是,通过与Al/TiO2/FTO器件对比发现Al/TiO2:Cu/FTO存储器件在高电压区域存在互补效应,这可以有效解决器件在缩小化方面电流串扰的应用问题。其次采用溶胶凝胶旋涂工艺制备Al/ZnO/FTO阻变存储器,研究Al与不同二元氧化物界面对阻变器件的影响。通过构建阻变模型以及调整ZnO阻变层的厚度深度分析Al/ZnO之间的肖特基势垒高度对器件中电子传导方式的影响。研究结果表明,该Al/ZnO/FTO器件呈现出明显的双极性阻变效应并且伴随着负微分电阻效应。通过电学性能分析发现,器件遵循经典的空间电荷限制电流传导（SCLC）机制。进一步研究发现,随着ZnO薄膜厚度的增加,器件所表现出的负微分电阻效应逐渐消失,这归因于不同厚度的ZnO薄膜与Al电极所形成的界面势垒高度不同进而影响Al/ZnO/FTO器件的阻变性能。最后利用溶胶凝胶旋涂工艺和水热法制备一维纳米棒状Al/ZnO NRAs/seed layers/FTO阻变存储器,重点研究了Al与不同维度之间的界面效应对阻变性能和机制的影响。结果发现,器件表现出双极性阻变效应并且伴随着负微分电阻效应。这种阻变现象和负微分电阻效应共存,在纳米电子领域具有较高的学术价值和潜在的应用前景。通过对器件在电压下的学习过程分析发现,器件可以成功地表现出神经突触的增强和抑制,为神经形态的电子仿生突触行为提供了新策略。
王楠[8]（2021）在《ZnO基纳米材料/薄膜复合光电探测器的研究》文中指出光电探测器在导弹预警,空间探测,环境监测,火焰探测等诸多领域具有广阔的应用前景。氧化锌（ZnO）具有较低缺陷密度、较高饱和载流子迁移率和较大禁带宽度（3.37 e V）等独特优势,被认为是在光电探测器应用中极有前景的候选材料之一。ZnO纳米结构由于拥有比表面积大、表面活性高的特点以及量子尺寸效应,能制备出性能优异光电探测器。但是要实现高灵敏度、高探测率、高响应度的探测器还需要解决以下几个关键问题:薄膜缺陷问题,光吸收效率问题,以及器件设计单一化等问题。因此,本文从ZnO纳米材料和薄膜复合光电探测器的设计及性能调控等方面开展研究,进而探索解决这些关键问题和技术瓶颈,主要的研究内容如下:（1）从增加光吸收面积角度出发,成功地制备了横向生长ZnO纳米材料/薄膜光电探测器。通过合成具有大比表面积的横向纳米材料,形成了导电通道,极大程度钝化了半导体表面的缺陷,改善了探测器光功能层的形貌,增加大量光子吸收位点,提高探测器的吸收效率,实现了探测器的性能优化。同时,通过改变耗尽层宽度,增强了有效电场强度,平衡了耗尽层与纳米材料表面态的两个作用因素,加快了光生电子空穴对的分离速率,使得探测器的响应度信号强度提高了近10倍。（2）从构建陷光结构,提高探测器光吸收效率角度出发,在ZnO薄膜上垂直生长了ZnO纳米蜂窝层和ZnO纳米线,制作了具有陷光结构的光电探测器。ZnO纳米蜂窝层具有较大的界面态密度,增加了自由载流子浓度,同时表面凹坑结构能有效地提高薄膜表面的光反射,有利于光的捕获和吸收。ZnO纳米线阵列具有各向异性,入射光在其开放的内部以不同的角度进行反射,折射及散射,提高了探测器的光捕获效率。同时,调控光的有效路径长度,延长光在探测器吸收层中的光程,减少入射光的损失,增加紫外光的吸收率,使探测器的响应度提高了102数量级。通过构建具有光肼结构的探测器,从而减少了光损失,为实现高效率、低成本的光电器件提供了一条可行的途径。（3）从优化光功能层结构角度出发,将具有陷光结构的纳米线阵列与异质结构薄膜层相结合,改变了传统的单层纳米器件结构。制备出异质双层结构的ZnO纳米线/ZnO/Mg0.2Zn0.8O及ZnO纳米线/ZnO/NiO紫外光电探测器。Mg0.2Zn0.8O薄膜层和ZnO薄膜的晶格匹配度高,减小了薄膜生长中的残余应力,改善了半导体光激发性能。ZnO/Mg0.2Zn0.8O异质结形成的剩余空穴,抑制了电荷的重组,吸引更多的外部电子,增加了载流子浓度。NiO层的引入使得探测器中形成pn结,在pn结中内建电场的作用下,使得耗尽区内复合率很低,载流子寿命增加,自由载流子密度增加。ZnO纳米线/ZnO/NiO紫外光电探测器在无外加电压的情况下对紫外光具有响应,实现了微型化自供电探测器。异质纳米线阵列复合探测器综合异质结构和陷光效应双重作用,使探测器的响应度强度提高了102数量级,具有更高的灵敏度及更大的探测率。
李思桦[9]（2021）在《二维纳米薄膜材料的弹性性质和热电效应研究》文中研究指明自从石墨烯被发现,证明了二维材料可以在常温下稳定存在,因此近些年越来越多的人将目光放在了研究二维材料各项性能上。力学性质作为材料的物理性质有着重要的研究价值,而弹性性质作为反映材料力学性质的重要性质更是引起了大家的广泛关注。随着第二次工业革命以来,电能成为了生活中所必需的能源,但是在工业化的过程中环境污染与能源的快速消耗,使得作为清洁能源的热电材料进入了大众视野。近些年,一些实验室已经能够利用氢化物与无水溴化物或金属与溴化物在900℃的氢气环境中通过熔融的方法制备氢溴酸钙（Ca HBr）,并对其的一些性能进行了研究,但是理论研究较少,特别是对单层氢溴酸钙的理论研究较少。而氧化锌作为制作方法简便和制作原材料价格低廉的半导体受到了大家日益青睐,尤其是可以从纤锌矿结构制得类石墨烯平面且呈蜂窝状的层状氧化锌以后。基于密度泛函理论与玻尔兹曼输运理论,本文计算了单层氢溴酸钙、单层氧化锌与二层氧化锌的弹性性质和热电性质。首先,获得这些材料的稳定晶体结构,并在此基础上计算它们的弹性常数,证明了它们的力学稳定性,利用对单层氢溴酸钙与单层氧化锌进行双轴拉伸应变,得到了这两种材料的弹性极限。其次,通过Phonopy软件计算得到单层氢溴酸钙、单层氧化锌与二层氧化锌相应的声子谱没有虚频,证明了它们的热动力学稳定性;并在此基础上利用Sheng BTE软件计算得到了单层氢溴酸钙与二层氧化锌使用BTE和RTA方法计算的晶格热导率。然后,使用Boltz Tra P软件计算了单层氢溴酸钙、单层氧化锌与二层氧化锌的电子输运性质。最后,对单层氢溴酸钙、单层氧化锌与二层氧化锌的热电性质进行了分析。
吕贺[10]（2021）在《基于超薄MoS2的复合材料可控制备及其室温NO2气敏性能》文中研究说明随着工业生产安全,环境污染等问题倍受关注,迫切需要对室内外环境污染物进行有效地检测,因此,我们对传感器的性能提出了更高的要求。近几年,MoS2因其可调节的形貌和片层结构以及随层数而改变电学和化学特性,使其成为独特且极具潜力的传感材料。但是,MoS2作为室温气体传感材料,其检测灵敏度低,恢复时间长以及无法完全恢复是目前面临的主要问题。因此,为了有效解决这些问题,在本论文研究中,通过采用不同的原料和合成方法,以MoS2纳米片的垂直生长和构建MoS2与多种材料形成异质结构为策略,设计构建MoS2基复合材料结构与气体传感器性能的构-效关系,并进一步围绕调控MoS2片层的厚度,复合材料孔隙度和电导率等性能,系统研究MoS2纳米复合材料室温下对NO2气体传感性能（如灵敏度,响应-恢复时间,选择性,稳定性等）。本论文主要开展了以下工作:首先,探索了敏感材料孔隙度和异质结对气敏性能的影响。即以独特的三维分层结构的多孔生物质炭为模板,采用水热法合成MoS2-WO3/BC（BC为生物质炭）异质结纳米复合材料。结果表明,MoS2-WO3/BC复合材料对室温NO2检测展示出较好的灵敏度（Ra/Rg=47.45,100 ppm）且响应时间较短,检测极限可达到10 ppb。该传感器的优异性能归因于复合材料的孔隙度和比表面积以及MoS2纳米薄片与WO3颗粒之间异质结的协同作用,更有利于电子传输并为NO2气体吸附提供了更多的活性位点。其次,我们进一步探索了敏感材料孔隙度、电导率以及MoS2片层厚度对气敏性能的影响。通过冷冻干燥和热分解,使MoS2纳米片垂直生长在多孔g-C3N4纳米薄片表面,构建了三维MoS2/g-C3N4复合材料。得益于其多孔结构、较大的比表面积和高度暴露的边缘活性位点以及优异的导电性,这种复合材料对NO2气体表现出优异的室温气敏传感性能。该传感器对50 ppm NO2气体显示出高响应（Ra/Rg=61.07）和短响应/恢复时间（2.1s和35.7 s）。传感器的检测极限达到10ppb,并具有长期稳定性。最后,我们探索了敏感材料中MoS2纳米片层的厚度,生长取向和电导率对气敏性能的影响。本实验研究在少层的Ti3C2Tx MXene的表面上合成层数和生长取向可控的MoS2,并且进一步用密度泛函理论（DFT）计算,揭示了MoS2-Ti3C2TxMXene（MSMXs）在分别含有Mo或S缺陷时气体吸附特性。其中FV-MSMX（少层垂直生长MoS2-Ti3C2Tx MXene）复合材料,因其较大的比表面积、MoS2高度暴露边缘位点、适量的Mo或S缺陷以及复合材料出色的导电性能,通过MoS2与Ti3C2Tx之间形成大量的Mo-O键形成电子转移的快速通道。因此,该复合材料对低浓度NO2室温条件下表现出极其出色的气体传感性能:对1 ppm NO2气体表现出了高响应值（Ra/Rg=27.3）,和较快的响应和恢复时间（分别是16 s和45.3 s）。此外,检测极限可达到30 ppb,并且具有长期稳定性和可完全恢复的性能。
二、六角形氧化锌超晶格粒子的控制制备(英文)（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、六角形氧化锌超晶格粒子的控制制备(英文)（论文提纲范文）
（1）纳米激光概述（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 半导体纳米线激光器 |
| 2.1 纳米线激光器的激射波段 |
| 2.2 可调谐纳米线激光器 |
| 2.3 纳米线激光器的阈值 |
| 2.4 电泵浦纳米线激光器 |
| 2.5 钙钛矿半导体纳米线激光器 |
| 3 回音壁模式纳米激光 |
| 4 等离子激元纳米激光 |
| 4.1 等离子激元激光的物理基础 |
| 4.2 等离子激元纳米激光器及spaser的发展 |
| 4.2.1 等离子激元纳米激光器的结构 |
| 4.2.2 等离子激元纳米激光器和spaser的阈值 |
| 4.2.3 等离子激元纳米激光器的外量子效率 |
| 4.2.4 电泵浦等离子激元纳米激光器 |
| 4.2.5 等离子激元纳米激光器的室温运转 |
| 4.2.6 等离子激元纳米激光器的直接调制 |
| 4.2.7 单粒子spaser及其应用 |
| 5 结语及前瞻 |
（2）二维GaN基材料表面修饰及GaN纳米片制备研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 二维GaN纳米材料 |
| 1.3 第一性原理 |
| 1.3.1 密度泛函理论 |
| 1.3.2 Kohn-Sham方程 |
| 1.3.3 交换关联泛函 |
| 1.3.4 计算软件 |
| 1.4 二维材料制备方法 |
| 1.5 论文研究意义及主要内容 |
| 1.5.1 研究意义 |
| 1.5.2 主要内容 |
| 2 g-GaN/C_(60)异质结电子和光学特性研究 |
| 2.1 单层g-GaN和 C_(60)分子能带结构 |
| 2.2 g-GaN/C_(60)异质结模型和参数设置 |
| 2.3 g-GaN/C_(60)异质结最稳定结构 |
| 2.4 g-GaN/C_(60)异质结电子特性 |
| 2.5 g-GaN/C_(60)异质结光学特性 |
| 2.6 电场作用下g-GaN/C_(60)异质结的电子特性 |
| 2.7 本章小结 |
| 3 有毒气体分子吸附碱金属掺杂单层g-GaN电子和光学特性研究 |
| 3.1 建立模型和设定参数 |
| 3.1.1 有毒气体吸附碱金属掺杂单层g-GaN模型 |
| 3.1.2 计算参数设置 |
| 3.2 结果分析 |
| 3.2.1 有毒气体分子吸附本征单层g-GaN |
| 3.2.2 碱金属掺杂本征单层g-GaN |
| 3.2.3 有毒气体吸附碱金属掺杂单层g-GaN体系电子特性 |
| 3.2.4 有毒气体吸附碱金属掺杂单层g-GaN光学特性 |
| 3.3 本章小结 |
| 4 CVD法制备GaN纳米片 |
| 4.1 实验药品 |
| 4.2 实验仪器 |
| 4.3 生长原理 |
| 4.4 结果分析 |
| 4.4.1 NH_3流量对GaN纳米片生长的影响 |
| 4.4.2 温度区间对GaN纳米片生长的影响 |
| 4.4.3 GaN纳米片的XRD表征 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 总结与展望 |
| 5.1 本文主要结论 |
| 5.2 未来工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间主要研究成果 |
（5）3d过渡金属稀磁半导体的磁性调控机制研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.1.1 巨磁阻效应 |
| 1.1.2 自旋阀 |
| 1.1.3 磁性隧道结 |
| 1.2 稀磁半导体的研究历史 |
| 1.2.1 第一代稀磁半导体 |
| 1.2.2 第二代稀磁半导体 |
| 1.2.3 第三代稀磁半导体 |
| 1.2.4 稀磁半导体氧化物 |
| 1.3 稀磁半导体的磁性起源机制 |
| 1.3.1 分子场理论 |
| 1.3.2 直接交换作用 |
| 1.3.3 超交换作用 |
| 1.3.4 Zener模型 |
| 1.3.5 RKKY模型 |
| 1.3.6 束缚磁化子模型 |
| 1.3.7 F色心机制 |
| 1.4 稀磁半导体氧化物的研究进展 |
| 1.4.1 稀磁半导体氧化物分类(d~0、d~x、f~0、f~x) |
| 1.4.2 d~0类ZnO稀磁半导体铁磁性研究 |
| 1.4.3 磁性元素掺杂ZnO稀磁半导体铁磁性研究 |
| 1.4.4 d~x类NiO稀磁半导体铁磁性研究 |
| 1.4.5 f~x类CeO_2稀磁半导体铁磁性研究 |
| 1.4.6 过渡金属磷化物铁磁性研究 |
| 1.5 论文研究思路与内容 |
| 1.5.1 研究思路与意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 第二章 制备与表征方法 |
| 2.1 实验试剂 |
| 2.2 实验仪器 |
| 2.3 样品的表征手段 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.3.3 透射电镜表征(TEM) |
| 2.3.4 球差校正透射电镜(ACTEM) |
| 2.3.5 X射线光电子能谱(XPS) |
| 2.3.6 光致发光(PL)谱 |
| 2.3.7 电子顺磁共振(EPR) |
| 2.3.8 磁圆二色性谱(XMCD) |
| 2.3.9 超导量子干涉仪(SQUID) |
| 第三章 单分散ZnO纳米颗粒的制备及室温铁磁性的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 ZnO纳米颗粒的形貌、结构以及成分表征 |
| 3.3.2 ZnO纳米颗粒的磁性表征 |
| 3.3.3 ZnO纳米颗粒的表面缺陷表征 |
| 3.3.4 ZnO纳米颗粒磁性与表面缺陷的关系构建 |
| 3.3.5 ZnO的磁性计算与分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 Co-ZnO纳米颗粒的制备及其室温铁磁性研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 Zn_(1-x)Co_xO纳米颗粒的形貌、结构以及成分表征 |
| 4.3.2 Zn_(1-x)Co_xO纳米颗粒的磁性表征 |
| 4.3.3 Zn_(1-x)Co_xO纳米颗粒表面缺陷表征 |
| 4.3.4 Zn_(1-x)Co_xO纳米颗粒退火实验表征 |
| 4.3.5 Zn_(1-x)Co_xO纳米颗粒的磁性拟合 |
| 4.3.6 Zn_(1-x)Co_xO磁性计算与分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 Ce-ZnO纳米片的制备及其室温铁磁性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 Ce-ZnO纳米片的结构、形貌与成分表征 |
| 5.3.2 Ce-ZnO纳米片的磁性表征 |
| 5.3.3 Ce-ZnO纳米片的表面缺陷表征 |
| 5.3.4 Ce-ZnO纳米片的磁性与表面缺陷关系的构建 |
| 5.3.5 Ce-ZnO磁性计算与分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 NiO纳米团簇的制备及其室温铁磁性研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.3 实验结果与讨论 |
| 6.3.1 NiO纳米团簇的结构、形貌与成分表征 |
| 6.3.2 NiO纳米团簇的磁性表征 |
| 6.3.3 NiO纳米团簇退火实验 |
| 6.3.4 NiO纳米团簇的磁性与表面缺陷关系的构建 |
| 6.3.5 NiO磁性计算与分析 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 CeO_2纳米材料的制备及其室温铁磁性研究 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 实验部分 |
| 7.3 结果与讨论 |
| 7.3.1 CeO_2纳米材料的结构、形貌与成分表征 |
| 7.3.2 CeO_2纳米材料的磁性表征 |
| 7.3.3 CeO_2纳米材料的表面电子态分析 |
| 7.3.4 CeO_2纳米材料磁性与表面电子态的关系构建 |
| 7.3.5 CeO_2磁性计算与分析 |
| 7.4 本章小结 |
| 第八章 单分散非化学计量比Zn_xFe_(3-x)O_4纳米颗粒的制备及其室温铁磁性研究 |
| 8.1 引言 |
| 8.2 实验部分 |
| 8.3 结果与讨论 |
| 8.3.1 Zn_xFe_(3-x)O_4纳米颗粒的结构、形貌与成分表征 |
| 8.3.2 Zn_xFe_(3-x)O_4纳米颗粒的磁性表征 |
| 8.3.3 Zn_xFe_(3-x)O_4纳米颗粒退火实验 |
| 8.3.4 ZnFe_2O_4计算与分析 |
| 8.4 本章小结 |
| 第九章 NiCoP纳米颗粒的制备及其室温铁磁性研究 |
| 9.1 引言 |
| 9.2 样品制备 |
| 9.3 结果与讨论 |
| 9.3.1 NiCoP纳米颗粒结构、形貌与成分表征 |
| 9.3.2 NiCoP纳米颗粒磁性表征 |
| 9.3.3 NiCoP纳米颗粒表面电子态表征 |
| 9.3.4 NiCoP纳米颗粒磁性与表面缺陷关系的构建 |
| 9.3.5 NiCoP纳米颗粒退火实验 |
| 9.3.6 NiCoP计算与分析 |
| 9.4 CoN纳米棒的磁性研究 |
| 9.4.1 CoN纳米棒的制备 |
| 9.4.2 CoN纳米棒的结构形貌表征 |
| 9.4.3 CoN纳米棒的磁性表征 |
| 9.4.4 CoN纳米棒的表面电子态表征 |
| 9.5 本章小结 |
| 第十章 总结与展望 |
| 10.1 总结 |
| 10.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的科研成果 |
| 1.发表学术论文 |
| 1.1 以第一作者发表 |
| 1.2 参与的学术论文 |
| 2.参与科研项目及科研获奖 |
| 2.1 参与科研项目 |
| 2.2 科研获奖 |
| 致谢 |
（6）基于二维层状材料新型忆阻器的光电特性与行为机制研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 忆阻器起源 |
| 1.2 忆阻器简介 |
| 1.2.1 功能层材料 |
| 1.2.2 制备工艺及表征手段 |
| 1.2.3 物理机制 |
| 1.2.4 忆阻器应用 |
| 1.3 国内外研究现状 |
| 1.3.1 界面工程 |
| 1.3.2 功能材料的元素掺杂 |
| 1.3.3 低维材料的引入 |
| 1.4 论文选题意义及主要研究内容 |
| 1.4.1 论文选题意义 |
| 1.4.2 论文主要研究内容 |
| 第二章 基于铁电极化效应的Au/SnSe/NSTO二阶忆阻器研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 二维SnSe材料铁电性理论预测 |
| 2.2.1 理论计算方法 |
| 2.2.2 铁电性计算结果 |
| 2.3 靶材富硒含量对SnSe薄膜及其忆阻器件特性的影响 |
| 2.3.1 SnSe薄膜及Au/SnSe/NSTO器件的制备 |
| 2.3.2 不同硒含量的SnSe薄膜表征 |
| 2.3.3 硒含量对Au/SnSe/NSTO器件忆阻特性影响 |
| 2.4 铁电二阶忆阻器电阻转换机制及其应用探索 |
| 2.4.1 二维铁电SnSe材料薄膜表征 |
| 2.4.2 二维SnSe材料铁电性及忆阻特性研究 |
| 2.4.3 Au/SnSe/NSTO二阶忆阻器的铁电机制 |
| 2.4.4 Au/SnSe/NSTO二阶忆阻器的应用 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 基于Pd导电细丝机制的Pd/Sn_(1-x)Se/NSTO高稳定性忆阻器研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 Sn_(1-x)Se材料薄膜厚度对忆阻性能影响 |
| 3.2.1 Pd/Sn_(1-x)Se/NSTO器件的制备 |
| 3.2.2 功能层材料厚度对Pd/Sn_(1-x)Se/NSTO忆阻器电学特性的影响 |
| 3.2.3 Pd/Sn_(1-x)Se/NSTO忆阻器的电阻转换机制猜想 |
| 3.3 基于Pd导电细丝的高稳定性忆阻器及其应用 |
| 3.3.1 Sn1-xSe材料表征 |
| 3.3.2 基于Pd导电丝的高稳定性忆阻器阻变特性 |
| 3.3.3 Pd/Sn_(1-x)Se/NSTO忆阻器件的Pd导电丝机制 |
| 3.3.4 Pd导电丝机制理论预测 |
| 3.3.5 基于Pd导电细丝高稳定忆阻器的应用 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于空位导电细丝机制的忆阻器研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 基于锡空位导电细丝机制的低功耗忆阻器研究 |
| 4.2.1 多层二维SnSe和 graphene材料及器件制备与表征 |
| 4.2.2 Au/SnSe/graphene/SiO_2/Si器件电学特性及突触应用 |
| 4.2.3 Au/SnSe/graphene/SiO_2/Si器件锡空位导电细丝机制 |
| 4.3 基于氧空位导电细丝机制的忆阻器研究 |
| 4.3.1 纵向二维BiOI材料制备 |
| 4.3.2 纵向二维BiOI材料微观形貌 |
| 4.3.3 Ti/BiOI/FTO结构器件制备 |
| 4.3.4 Ti/BiOI/FTO器件的电学特性及突触应用 |
| 4.3.5 Ti/BiOI/FTO器件氧空位导电细丝机制 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 基于二维Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)材料多功能光电耦合忆阻器研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 多层二维Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)材料制备及表征 |
| 5.2.1 多层二维Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)材料制备 |
| 5.2.2 多层二维Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)材料微观形貌 |
| 5.3 Pd/Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)/SiO_2/Si光电器件制备及其光电性能 |
| 5.3.1 Pd/Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)/SiO_2器件制备 |
| 5.3.2 Pd/Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)/SiO_2器件光电特性 |
| 5.4 Pd/Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)/SiO_2/Si器件机理 |
| 5.5 二维Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)材料器件的应用 |
| 5.5.1 布尔逻辑“或”门运算 |
| 5.5.2 非易失多级存储 |
| 5.5.3 光电信息解调 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 创新点 |
| 6.2 主要工作总结 |
| 6.3 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
（7）Al与TiO2/ZnO薄膜界面行为对阻变机理影响的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 新型非易失存储器 |
| 1.2.1 铁电存储器(FRAM) |
| 1.2.2 相变存储器(PRAM) |
| 1.2.3 磁阻随机存储器(MRAM) |
| 1.2.4 阻变存储器(RRAM) |
| 1.3 阻变存储器的国内外研究现状 |
| 1.3.1 阻变存储器的性能参数 |
| 1.3.2 阻变介质材料以及电极材料 |
| 1.3.3 电极材料 |
| 1.3.4 阻变机理 |
| 1.4 研究意义以及研究内容 |
| 第2章 薄膜器件的制备以及表征 |
| 2.1 薄膜制备工艺 |
| 2.1.1 溶胶凝胶技术 |
| 2.1.2 水热法 |
| 2.1.3 薄膜的热处理 |
| 2.2 金属顶电极的制备 |
| 2.3 薄膜的表征方法 |
| 2.3.1 掠入射X射线衍射 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱 |
| 2.4 电学性能测试 |
| 2.5 试验工艺流程 |
| 第3章 Al-TiO_2半导体界面行为对阻变行为的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 Al/TiO_2/FTO 器件和Al/TiO_2:Cu/FTO 器件的制备 |
| 3.3 TiO_2和TiO_2:Cu薄膜表征 |
| 3.4 电学性能测试 |
| 3.4.1 I-V曲线分析 |
| 3.4.2 整流效应分析 |
| 3.4.3 循环性能和保持性能分析 |
| 3.5 机理分析 |
| 3.5.1 机理拟合 |
| 3.5.2 阻变模型的构建 |
| 3.6 改变施加偏压对阻变行为的影响 |
| 3.7 本章小结 |
| 第4章 Al-ZnO半导体界面行为对阻变行为的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Al/ZnO/FTO器件的制备 |
| 4.3 ZnO薄膜的表征 |
| 4.4 电学性能测试 |
| 4.4.1 I-V曲线分析 |
| 4.4.2 I-V曲线拟合 |
| 4.4.3 阻变模型构建 |
| 4.5 薄膜厚度对阻变行为的影响 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 Al-ZnO NRA半导体界面行为对阻变性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Al/ZnO NRA/FTO器件的制备 |
| 5.3 ZnO NRA薄膜的表征 |
| 5.4 电学性能测试 |
| 5.4.1 I-V曲线分析 |
| 5.4.2 循环特性和保持特性的分析 |
| 5.5 阻变机理 |
| 5.5.1 I-V曲线拟合 |
| 5.5.2 阻变模型构建 |
| 5.6 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 |
| 致谢 |
（8）ZnO基纳米材料/薄膜复合光电探测器的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 ZnO的基本性质 |
| 1.2 光电探测器的基本原理 |
| 1.2.1 半导体光电探测器一些重要的特性参数 |
| 1.2.2 光电探测器的分类和特点 |
| 1.2.3 光电探测器的金属-半导体接触 |
| 1.3 新型光电探测器的设计 |
| 1.4 低维纳米材料在光电探测器的应用 |
| 1.5 ZnO基纳米材料/薄膜复合光电探测器存在的问题 |
| 1.6 论文选题依据和主要研究内容 |
| 第2章 ZnO基纳米材料/薄膜复合光电探测器的制备及表征 |
| 2.1 ZnO基纳米材料/薄膜复合光电探测器的制备 |
| 2.1.1 ZnO薄膜材料的制备 |
| 2.1.2 ZnO纳米材料的制备 |
| 2.2 ZnO基薄膜/纳米材料的表征 |
| 2.2.1 X射线衍射 |
| 2.2.2 吸收和透射光谱 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.2.4 X射线能谱分析 |
| 2.3 光电探测器的制备 |
| 2.3.1 MSM结构光电探测器制备 |
| 2.3.2 垂直结构光电探测器制备 |
| 2.4 光电探测器的表征 |
| 2.4.1 光谱响应测试 |
| 2.4.2 电流电压(I-V)测试 |
| 2.4.3 霍尔测试 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 横向生长ZnO纳米材料/薄膜光电探测器的研究 |
| 3.1 横向生长ZnO纳米材料/薄膜光电探测器的制备及表征 |
| 3.2 横向生长ZnO纳米材料/薄膜探测器光电性能的研究 |
| 3.3 耗尽层宽度对横向生长ZnO纳米线/薄膜光电探测器的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 基于陷光效应ZnO纳米材料/薄膜光电探测器的研究 |
| 4.1 ZnO蜂窝纳米材料/薄膜光电探测器的制备与表征 |
| 4.2 ZnO蜂窝纳米材料/薄膜光电探测器光电性能的研究 |
| 4.3 ZnO纳米线/薄膜光电探测器的制备与表征 |
| 4.4 光有效路径长度对ZnO纳米线/薄膜探测器的光电性能影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 异质结构ZnO纳米线/薄膜光电探测器的研究 |
| 5.1 ZnO纳米线/ZnO/Mg_(0.2)Zn_(0.8)O光电探测器的制备及表征 |
| 5.2 ZnO纳米线/ZnO/Mg_(0.2)Zn_(0.8)O光电探测器光电性能的研究 |
| 5.3 ZnO纳米线/ZnO/NiO光电探测器的制备与表征 |
| 5.4 ZnO纳米线/ZnO/NiO光电探测器光电性能的研究 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
| 致谢 |
（9）二维纳米薄膜材料的弹性性质和热电效应研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 二维材料研究背景及意义 |
| 1.2 常见二维材料的力学性质 |
| 1.3 热电材料的研究背景和基本理论 |
| 1.3.1 热电材料的研究背景 |
| 1.3.2 Seebeck效应 |
| 1.3.3 Peltier效应 |
| 1.3.4 Thomson效应 |
| 1.4 热电材料的研究现状及进展 |
| 1.5 氢溴酸钙的研究现状 |
| 1.6 二维氧化锌的研究现状 |
| 1.7 本章小结 |
| 2 理论基础 |
| 2.1 密度泛函理论(DFT) |
| 2.1.1 玻恩-奥本海默近似 |
| 2.1.2 Hartree-Fork近似 |
| 2.1.3 Hohenberg-Kohn定理 |
| 2.1.4 Kohn-Sham方程 |
| 2.2 交换关联泛函 |
| 2.2.1 局域密度近似泛函 |
| 2.2.2 广义梯度近似泛函 |
| 2.2.3 赝势方法 |
| 2.3 弹性理论 |
| 2.3.1 二维材料的弹性理论计算方法 |
| 2.4 热电理论 |
| 2.4.1 玻尔兹曼输运理论 |
| 2.4.2 热电材料理论计算方法 |
| 2.5 软件介绍 |
| 2.5.1 VASP程序简述 |
| 2.5.2 ShengBTE |
| 2.5.3 Phonopy |
| 2.5.4 BoltzTraP软件介绍 |
| 2.6 本章小结 |
| 3 二维材料的结构优化及弹性性质分析 |
| 3.1 二维氢溴酸钙的结构优化及稳定性分析 |
| 3.1.1 计算参数及理论模型 |
| 3.1.2 结构优化与稳定性分析 |
| 3.2 二维氧化锌的结构优化及稳定性分析 |
| 3.2.1 计算参数及理论模型 |
| 3.2.2 结构优化与稳定性分析 |
| 3.3 二维氢溴酸钙与二维氧化锌的弹性性质分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 二维氢溴酸钙的热电性能研究 |
| 4.1 二维氢溴酸钙声子谱和声子散射率 |
| 4.2 二维氢溴酸钙声子平均自由程和热导率 |
| 4.3 二维氢溴酸钙热电性能研究 |
| 4.3.1 二维氢溴酸钙塞贝克系数 |
| 4.3.2 二维氢溴酸钙功率因子 |
| 4.3.3 二维氢溴酸钙热电优值 |
| 4.4 结果分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 二维氧化锌的热电性能研究 |
| 5.1 二维氧化锌声子谱、声子散射率与热导率 |
| 5.2 二维氧化锌热电性能研究 |
| 5.2.1 二维氧化锌塞贝克系数 |
| 5.2.2 二维氧化锌功率因子 |
| 5.2.3 二维氧化锌热电优值 |
| 5.3 结果分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间主要研究成果 |
（10）基于超薄MoS2的复合材料可控制备及其室温NO2气敏性能（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 气体传感器概述 |
| 1.2.1 气敏传感器的分类 |
| 1.2.2 半导体式气敏传感器的性能指标 |
| 1.2.3 气敏传感器的反应机理 |
| 1.3 二维气敏传感材料的研究现状 |
| 1.3.1 二维碳材料 |
| 1.3.2 二维金属硫化物 |
| 1.3.3 黑磷(BP) |
| 1.4 MoS_2复合气体传感材料概述 |
| 1.4.1 MoS_2及其复合材料 |
| 1.4.2 MoS_2及其复合材料室温NO_2气敏研究现状 |
| 1.5 论文的立题依据及研究内容 |
| 1.5.1 论文的立题依据 |
| 1.5.2 论文研究内容 |
| 第二章 实验方法和原理 |
| 2.1 实验主要化学试剂和原材料 |
| 2.2 实验主要设备及测试仪器 |
| 2.3 材料分析方法及原理 |
| 2.3.1 X-射线粉末衍射(XRD) |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.3.3 透射电子显微镜(TEM) |
| 2.3.4 傅里叶变换红外光谱分析(FT-IR) |
| 2.3.5 拉曼光谱(RAMAN) |
| 2.3.6 电子顺磁共振(EPR) |
| 2.3.7 比表面积分析(BET) |
| 2.3.8 X射线光电子能谱(XPS) |
| 2.3.9 程序升温脱附(TPD) |
| 2.4 气敏器件的制备及气敏性能测试 |
| 2.4.1 气敏器件的制备 |
| 2.4.2 气敏性能的测试 |
| 第三章 分级结构MoS_2-WO_3/BC复合材料的制备及室温NO_2气敏性能 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 生物质炭的制备 |
| 3.2.2 WO3/BC的制备 |
| 3.2.3 Mo S2-WO3/BC的制备 |
| 3.2.4 气体传感器制备及测试方法 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 生物质炭材料形貌和结构分析 |
| 3.3.2 h-WO_3/BC纳米复合材料形貌和结构分析 |
| 3.3.3 MoS_2-WO_3/BC纳米复合材料形貌和结构分析 |
| 3.3.4 (m@h)-WO_3/BC纳米复合材料形貌和结构分析 |
| 3.3.5 MoS_2-WO_3纳米复合材料形貌和结构分析 |
| 3.3.6 h-WO_3/BC,MoS_2-WO_3/BC和(m@h)-WO_3/BC纳米复合材料气敏性 |
| 3.3.7 气敏传感机理 |
| 3.4 结论 |
| 第四章 MoS_2/g-C_3N_4复合材料的制备及其室温下NO_2气敏性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 多孔g-C_3N_4纳米片的制备 |
| 4.2.2 MoS_2/C_3N_4复合材料的制备 |
| 4.3 结果和讨论 |
| 4.3.1 多孔g-C_3N_4纳米片的结构和形貌分析 |
| 4.3.2 MoS_2/g-C_3N_4复合材料的形貌和结构分析 |
| 4.3.3 气体传感性能 |
| 4.3.4 MoS_2/g-C_3N_4传感器的气体传感机理 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 MoS_2-Ti_3C_2T_x MXene复合纳米材料的制备及NO_2室温气敏性能 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 薄层Ti_3C_2T_x MXene的制备 |
| 5.2.2 MoS_2-Ti_3C_2T_x MXene复合纳米材料的制备 |
| 5.2.3 理论计算和模型 |
| 5.3 结果和讨论 |
| 5.3.1 少层Ti_3C_2T_x MXene的结构和形貌分析 |
| 5.3.2 气敏传感性能 |
| 5.3.3 气敏传感机理 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论和展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 |
四、六角形氧化锌超晶格粒子的控制制备(英文)（论文参考文献）
- [1]纳米激光概述[J]. 许嘉璐,宁存政,熊启华. 中国激光, 2021(15)
- [2]二维GaN基材料表面修饰及GaN纳米片制备研究[D]. 郑艳鹏. 西安理工大学, 2021
- [3]不同形状金属纳米结构的合成及其生长机理研究[D]. 张万成. 湖北工业大学, 2021
- [4]基于氧化锌/氧化铜甲醛传感器的设计及性能研究[D]. 陈燕. 新疆大学, 2021
- [5]3d过渡金属稀磁半导体的磁性调控机制研究[D]. 孙勇. 西北大学, 2021(12)
- [6]基于二维层状材料新型忆阻器的光电特性与行为机制研究[D]. 王宏. 河北大学, 2021(09)
- [7]Al与TiO2/ZnO薄膜界面行为对阻变机理影响的研究[D]. 韩伟韬. 太原理工大学, 2021(01)
- [8]ZnO基纳米材料/薄膜复合光电探测器的研究[D]. 王楠. 长春理工大学, 2021(01)
- [9]二维纳米薄膜材料的弹性性质和热电效应研究[D]. 李思桦. 贵州师范大学, 2021(09)
- [10]基于超薄MoS2的复合材料可控制备及其室温NO2气敏性能[D]. 吕贺. 黑龙江大学, 2021(09)